李幼真
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周继承
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陈海波
材料导报
阐述了集成电路Cu互连中的技术难题,重点讨论了Cu的扩散问题,综述了扩散阻挡层的研究发展进程,重点介绍了当今研究较多的难熔金属、难熔金属氮化物及其三元结构阻挡层的最新进展情况.研究表明,阻挡层的阻挡性能与制备工艺、薄膜组分及微观结构密切相关,其失效机制多为高温下阻档层晶化所产生的晶界为Cu扩散提供了快速通道,掺入Si或其它原子的难熔金属氮化物由于其较高的晶化温度和良好的阻挡性能正成为研究热点.
关键词:
扩散阻挡层
,
Cu金属化
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热稳定性
,
薄膜
王岩
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刘杨
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马莒生
稀有金属材料与工程
从PMMA型LTCC素坯膜的制备和PMMA的排胶机理两方面,研究了LTCC基板Cu共烧金属化.结果表明,采用PMMA作为粘结剂的流延浆料具有剪切变稀行为,所得的流延坯膜微观组织均匀,叠压后坯体内部无分层现象.热失重、差热和傅立叶红外光谱联用分析结果表明高纯N2气氛中PMMA以解聚机理热解,热解后释放的主要产物为丙烯酸甲酯.在高纯N2气氛中LTCC与Cu共烧后Cu金属化膜平整、致密,连通良好.经测试,基板表面Cu导体方阻小于5 mΩ/□.
关键词:
Cu金属化
,
LTCC
,
共烧工艺
