杨继红
,
贾维平
,
李守新
金属学报
利用扫描电镜电子通道衬度技术(SEM--ECC)和透射电子显微镜(TEM)对[013]取向Cu单
晶体在空气中和NaCl水溶液中疲劳到饱和的位错结构进行观察. 结果表明: 在0.5mol/L NaCl 水溶液中, 腐蚀疲劳饱和位错结构主要是迷宫和脉络位错结构, 这与空气中的驻留滑移带 (PSBs)和脉络位错结构不同. 腐蚀疲劳饱和位错结构的观察表明, 介质对疲劳位错结构的影响相当于在其它条件都不变的情况下, 增大了疲劳的塑性切应变幅.
关键词:
Cu单晶体
,
corrosion fatigue
郭巍巍
,
齐成军
,
李小武
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00572
在不同塑性应变幅下对共轭双滑移和[017]临界双滑移取向Cu单晶体进行疲劳实验直至循环饱和, 然后在不同温度下进行退火处理, 考察了其位错结构的热稳定性. 结果表明, 300 ℃退火处理后, 位错结构发生了明显的回复; 500和800 ℃退火处理后, 均发生了明显的再结晶现象, 并伴随退火孪晶的形成. 不同取向Cu单晶体循环变形后形成不同的位错结构, 其热稳定性由高到低依次为: 脉络结构、驻留滑移带(PSB)结构、迷宫或胞结构. 不同取向疲劳变形Cu单晶体中形成的退火孪晶均沿着疲劳后开动的滑移面方向发展, 疲劳后的滑移变形程度越高, 退火后形成的孪晶数量则越多. 但过高的退火温度(如800 ℃)会加快再结晶晶界的迁移速率, 进而抑制孪晶的形成, 致使孪晶数量有所减少.
关键词:
Cu单晶体
,
疲劳位错结构
,
热稳定性
,
晶体取向
,
再结晶
,
退火孪晶
杨继红
,
李勇
,
李守新
,
马常祥
,
李广义
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.10.002
采用离散的位错动力学方法,用计算机模拟循环形变单滑移取向Cu单晶中疲劳早期位错花样的形成和演化过程,并利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术对其进行了观察.计算机模拟结果与实验观察较好地吻合.提出了在循环形变早期位错脉络的形成和演化是从同号的基体位错墙开始的,基体偶极子位错墙是两个异号基体位错墙合并的结果,在偶极子位错墙破碎并演化为基体脉络的过程中螺型位错段起到了重要作用等观点.
关键词:
Cu单晶体
,
疲劳早期
,
位错花样
,
观察与模拟
朱荣
,
李守新
,
李勇
,
李明扬
,
晁月盛
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.05.005
在循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体首先出现驻留滑移线(PSL),然后随着循环周次的增加转变为驻留滑移带(PSB).在不同温度、不同时间条件下对疲劳Cu单晶进行真空退火处理,观察PSB结构在热激活条件下的变化情况.结果表明,退火处理过程中由于空位浓度差异所产生的渗透力促使位错运动,并使PSB的某些部位逐步细化,以至消失.实现了PSB的分段相消.在退火过程中由于应变能的逐步释放,未观察到再结晶现象.
关键词:
Cu单晶体
,
驻留滑移线
,
驻留滑移带
,
渗透力
,
分段相消
郭巍巍
,
齐成军
,
李小武
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2012.00411
在不同塑性应变幅下对[233]共面双滑移取向Cu单晶体进行疲劳实验直至循环饱和,然后在不同温度进行退火处理.利用SEM-ECC和TEM观察疲劳位错结构及其退火后微观结构的变化,结果表明,退火温度为300℃时,位错结构均发生了明显的回复,高应变幅下疲劳样品中甚至出现了部分再结晶.在500和800℃退火,所有晶体都发生了严重的再结晶,并且有大量的退火孪晶出现.随着塑性应变幅和累积塑性应变量的增加,应变集中程度明显增加,为再结晶的发生和孪晶的萌生提供了更大的局部应变能,所以再结晶发生得更为显著,退火孪晶变得更为粗大且数量增加,退火孪晶的形成与层错的出现有密切关系.DSC测试分析表明,再结晶的发生不是突发式的,而是一个缓慢的过程.
关键词:
Cu单晶体
,
疲劳位错结构
,
热稳定性
,
再结晶
,
退火孪晶
郭巍巍
,
齐成军
,
李小武
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00572
在不同塑性应变幅下对[223]共轭双滑移和[017]临界双滑移取向Cu单晶体进行疲劳实验直至循环饱和,然后在不同温度下进行退火处理,考察了其位错结构的热稳定性.结果表明,300℃退火处理后,位错结构发生了明显的回复;500和800℃退火处理后,均发生了明显的再结晶现象,并伴随退火孪晶的形成.不同取向Cu单晶体循环变形后形成不同的位错结构,其热稳定性由高到低依次为:脉络结构、驻留滑移带(PSB)结构、迷宫或胞结构.不同取向疲劳变形Cu单晶体中形成的退火孪晶均沿着疲劳后开动的滑移面方向发展,疲劳后的滑移变形程度越高,退火后形成的孪晶数量则越多.但过高的退火温度(如800℃)会加快再结晶晶界的迁移速率,进而抑制孪晶的形成,致使孪晶数量有所减少.
关键词:
Cu单晶体
,
疲劳位错结构
,
热稳定性
,
晶体取向
,
再结晶
,
退火孪晶
朱荣
,
李守新
,
李勇
,
李明扬
,
晁月盛
金属学报
=[刊，中]///金属学报.¾2004,40(5).¾
在循环加载条件下, 单滑移取向的Cu单晶体首先出现驻留滑移线(PSL), 然后随着循环周次的增加转变为驻留滑移带(PSB). 在不同温度、不同时间条件下对疲劳Cu单晶进行真空退火处理, 观察PSB结构在热激活条件下的变化情况. 结果表明, 退火处理过程中由于空位浓度差异所产生的渗透力促使位错运动, 并使PSB的某些部位逐步细化, 以至消失. 实现了PSB的分段相消. 在退火过程中由于应变能的逐步释放, 未观察到再
关键词:
Cu单晶体
,
persistent slip line (PSL)
,
persistent slip band (PSB)
