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采用双槽电沉积方法制备出了Cu/Ni多层膜.探讨了调制波长、热处理条件等对Cu/Ni多层膜合金化行为影响的规律,并借助于SEM和XRD等对Cu/Ni多层膜及其合金化镀层的结构与组成进行了分析表征.结果表明,利用Cu/Ni多层膜合金化方法可以制备出组织均一、成分均匀的Cu-Ni合金镀层,且多层膜调制波长的减小、热处理时间的延长及保温温度的升高均有利于Cu/Ni多层膜的合金化.此外,利用电化学综合测试技术对合金镀层的耐蚀行为进行了评估.结果表明,合金化后的Cu-Ni合金镀层比相应条件下的纯Cu镀层、Ni镀层具有更正的自腐蚀电位、更低的极化电流密度以及更小的腐蚀速率.

关键词: Cu/Ni多层膜 , 合金化 , 电沉积 , 耐蚀性

Cu/Ni多层膜强化机理的分子动力学模拟

程东严志军严立

金属学报

运用分子动力学方法模拟了Cu/Ni薄膜结构在纳米压入和微摩擦过程位错的运动规律, 探讨了薄膜结构中位错与界面的相互作用规律. 结果表明: Cu/Ni多层膜结构中的层间界面会阻碍位错继续向材料内部扩展, 阻碍作用主要来自于两个方面: 界面失配位错网对位错运动的排斥阻力使其难以到达或穿过界面; 由弹性模量差而产生的界面镜像力使位错被限制在Cu单层膜内运动. 这种阻碍作用有利于提高Cu/Ni多层薄膜的力学性能.

关键词: Cu/Ni多层膜 , molecular dynaminc simulation , Misfit Dislocation , Image Force

Cu/Ni多层膜强化机理的分子动力学模拟

程东 , 严志军 , 严立

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.12.010

运用分子动力学方法模拟了Cu/Ni薄膜结构在纳米压入和微摩擦过程位错的运动规律,探讨了薄膜结构中位错与界面的相互作用规律.结果表明:Cu/Ni多层膜结构中的层间界面会阻碍位错继续向材料内部扩展,阻碍作用主要来自于两个方面:界面失配位错网对位错运动的排斥阻力使其难以到达或穿过界面;由弹性模量差而产生的界面镜像力使位错被限制在Cu单层膜内运动.这种阻碍作用有利于提高Cu/Ni多层薄膜的力学性能.

关键词: Cu/Ni多层膜 , 分子动力学模拟 , 失配位错 , 镜像力

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组分调制Cu/Ni多层膜的合金化及其合金化镀层的耐蚀特性

Cu/Ni多层膜强化机理的分子动力学模拟

Cu/Ni多层膜强化机理的分子动力学模拟

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