樊龙
,
黎宇坤
,
陈韬
,
李晋
,
杨志文
,
袁铮
,
邓博
,
曹柱荣
,
胡昕
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140346
碘化铯(CsI)薄膜因对X射线及紫外光具有高的光电转换效率而倍受关注。在核物理、高能物理以及天体物理研究的推动下，研制高量子效率(QE)、性能稳定的CsI薄膜光阴极成为了近年来研究的热点。然而，目前人们对某些影响其性能的因素还不完全清楚或确定。本文综述了CsI薄膜光阴极的最新研究进展，总结了影响QE的因素和光阴极的老化机理，重点关注了一些存在争议的问题，并对其研究发展方向进行了探讨。
关键词:
CsI薄膜
,
光阴极
,
量子效率
,
受潮老化
,
辐照老化
,
综述
程峰
,
钟玉荣2
,
王宝义
,
王天民3
,
魏龙
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00749
采用真空热蒸发法制备了CsI(Tl)薄膜, 然后进行了不同温度的真空热处理．用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(Tl)薄膜样品进行了分析, 并测得了样品的光产额．结果表明, 该CsI(Tl)薄膜沿(200)晶面择优取向生长．经过较低温度退火, CsI薄膜中的Tl+离子向薄膜表面扩散, 薄膜中缺陷数量增加, 且尺寸较大, 光产额略微增高．经过250℃退火, 薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复, 薄膜缺陷尺寸变小, 且数目减少, 具有较好的结晶状态, 光产额提高．经过400℃退火, 薄膜结构发生显著变化, 薄膜中缺陷大幅增加, 结晶状态变差, Ti+含量减少, 光产额急剧下降．
关键词:
CsI薄膜
,
microstructure
,
scintillation properties
程峰
,
钟玉荣
,
王宝义
,
王天民
,
魏龙
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.023
采用真空热蒸发法制备了CsI(Tl)薄膜,然后进行了不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(Tl)薄膜样品进行了分析,并测得了样品的光产额.结果表明,该CsI(Tl)薄膜沿(200)晶而择优取向生长.经过较低温度退火,CsI薄膜中的Tl+离子向薄膜表面扩散,薄膜中缺陷数量增加,且尺寸较大,光产额略微增高.经过250°C退火,薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复,薄膜缺陷尺寸变小,且数目减少,具有较好的结晶状态,光产额提高.经过400°C退火,薄膜结构发生显著变化,薄膜中缺陷大幅增加,结晶状态变差, Ti+含量减少,光产额急剧下降.
关键词:
CsI薄膜
,
微观结构
,
闪烁性能
