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CsI(Tl)闪烁晶体研究进展

郭亚军 , 杨春晖

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.017

CsI(Tl)闪烁晶体光产额高于BGO晶体4倍多,辐照长度较NaI(Tl)晶体短,机械性能好,是一种优良实用的闪烁晶体材料.CsI(Tl)晶体的发光中心包括激活剂发光中心[Tl(Ⅰ)和Tl(Ⅱ)]和辐照诱导缺陷发光中心.CsI(Tl)晶体的发射谱峰值位于550nm,能与硅光二极管配合组成性能优良的探测器,广泛应用于核技术和高能物理等领域.目前主要采用坩埚下降法和连续加料法生长.本文综述了CsI(Tl)闪烁晶体的生长、缺陷、闪烁性能及其应用领域的研究与发展趋势.

关键词: 闪烁晶体 , 探测器 , CsI(Tl) , 晶体生长

CsI(Tl)+Si-APD探测器的性能测试

焦磊 , 金仕纶 , 李加兴 , 王建松 , 杨彦云 , 马朋 , 马军兵 , 白真 , 刘星泉 , 周济人 , 段芳芳 , 张兴

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.34.02.190

介绍了Si-APD的工作原理并对Si-APD中的暗电流进行了理论分析.基于RIBLL上产生的放射性核束流,使用CsI(Tl)+Si-APD探测器对中能重离子进行了能量测试.测试结果显示,CsI(Tl)+Si-APD探测器测量20 MeV/u的重离子时,可得到3%的能量分辨;同时还发现Si-APD中的暗电流大小以及入射粒子的能量大小都会对探测器的能量分辨产生影响.

关键词: 暗电流 , CsI(Tl) , Si-APD , 能量分辨

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