许小红
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段静芳
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王芳
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武海顺
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李震
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李佐宜
稀有金属材料与工程
在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响.设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响.用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4 cm,功率为50 W,溅射气压为0.5 Pa,溅射时间为9 min.并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素.而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小.本实验设计可达到95%的置信度.
关键词:
SmCo/Cr薄膜
,
矫顽力
,
Cr底层
,
溅射参数
