李伟
,
冀圆圆
,
戴宪起
,
王天兴
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.10.012
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了 Cr 和 Mo 掺杂对单层 WSe2能带结构的影响.计算结果表明,Mo 对单层 WSe2的能带结构没有影响,而Cr则影响很大.随着掺杂浓度的增加,带隙宽度逐渐减小,能带由原来的直接带隙变为了间接带隙.Cr 掺杂后所产生的应力是导致能带结构发生变化的直接原因.
关键词:
掺杂
,
第一性原理
,
WSe2
,
Cr,Mo
,
能带结构
