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闫国杰 , 程继健 , 张金朝 , 春胜利
无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.015
采用化学共沉淀法成功地制备出适用于彩电显象管内荧光体着色的CoxR1-xAl2O4(R=Zn、Mg，x=0.8~1.0)钴蓝颜料：450nm波长处反射率最大提高18.2%，600nm处反射率最大降低5%.通过对该颜料反射率的影响因素,如掺杂离子类型、掺杂浓度和Co2+离子浓度的探讨，结论如下：Zn2+、Mg2+改变钴蓝颜料反射性能的作用机理为晶格畸变引起Co2+3d轨道电子能级分裂程度的变化；对于掺杂离子Zn2+、Mg2+，x下限值分别约为0.85和0.8.
关键词: CoxR1-xAl2O4颜料 , 反射性能 , 掺杂离子
无机材料学报
采用化学共沉淀法成功地制备出适用于彩电显象管内荧光体着色的ＣｏｘＲ１－ｘＡｌ２Ｏ４（Ｒ＝Ｚｎ、 Ｍｇ， ｘ＝０．８～１．０）钴蓝颜料： ４５０ｎｍ波长处反射率最大提高１８．２％， ６００ｎｍ处反射率最大降低５％。通过对该颜料反射率的影响因素，如掺杂离子类型、掺杂浓度和Ｃｏ２＋离子浓度的探讨，结论如下：Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋改变钴蓝颜料反射性能的作用机理为晶格畸变引起Ｃｏ２＋３ｄ轨道电子能级分裂程度的变化；对于掺杂离子Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋，ｘ下限值分别约为０．８５和０．８．
关键词: CoxR1-xAl2O4颜料 , reflectivity properties , doping cation
