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Co2C上CO的程序升温脱附和程序升温表面反应研究

裴彦鹏 , 丁云杰 , 臧娟 , 宋宪根 , 董文达 , 朱何俊 , 王涛 , 陈维苗

催化学报 doi:10.1016/S1872-2067(12)60615-9

采用CO与金属Co在473 K反应400 h以上合成了Co2C样品,采用X射线衍射、透射电镜和CO程序升温还原对样品进行了表征,并采用CO程序升温脱附和CO程序升温表面反应研究了Co2C对CO的吸附及其加氢活化行为.结果表明,Co2C微观结构由体相和表面钝化层两部分组成.表面钝化层可被CO于477 K左右去除.CO在Co2C上有2个脱附峰,其中低温脱附峰可能源于Co2C上吸附的CO,而高温脱附峰可能对应于残留于Co2C晶格内的CO.Co2C上吸附的CO可与H2反应生成醇.

关键词: 碳化钴 , 钝化层 , 一氧化碳吸附 , 加氢 ,

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