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电镀法制备CoNi1-xNdxMnP永磁薄膜阵列的研究

蒋洪川 , 张万里 , 张金平 , 张文旭 , 彭斌 , 杨仕清

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.05.030

为了提高永磁薄膜阵列的剩磁和最大磁能积, 在电镀制备CoNiMnP永磁薄膜阵列过程中引入少量稀土Nd原子替代部分Ni原子, 采用光刻和电镀技术在5 mm×5 mm×0.2 mm的硅片上设计并制备了2000个大小为50 μm×50 μm的CoNi1-xNdxMnP垂直各向异性永磁薄膜阵列, 并对该薄膜陈列的组成、磁性能等进行了分析与测试. 结果表明: 薄膜阵列的组成为(质量分数):Nd 1.90%, Co 86.62%, Ni 5.68%, Mn 2.06%, P 3.74%; 阵列垂直方向磁性能为:Hc=59.7 kA·m-1, Br=0.53 T, (BH)max=11.3 kJ·m-3; 阵列水平方向磁性能为: Hc=27.8 kA·m-1, Br=0.42 T, (BH)max=3.2 kJ·m-3.

关键词: CoNi1-xNdxMnP永磁薄膜 , 电镀 , 垂直各向异性

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