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利用Ru缓冲层中V的添加提高Co0.85W0.15磁性薄膜的磁性能

王建军 , 高崇 , 叶凡 , 刘春明

稀有金属材料与工程

垂直磁记录材料需要高的磁晶各向异性能.尝试了通过改变缓冲层成分来产生晶格畸变以提高磁晶各向异性的方法.300℃下,利用直流磁控溅射设备在RuV缓冲层上沉积了Co0.85W0.15磁性薄膜,其中Ru缓冲层中添加15%V.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的精细晶体结构,确定了薄膜的结构、取向关系、晶格常数、c轴分散性、fcc/hcp体积分数比和堆垛层错密度.根据实验结果,研究了Co0.85 W0.15/Ru0.85V0.85/MgO(1 11)薄膜的晶体结构和磁晶各向异性能间的关系.实验结果表明,由于缓冲层中V的添加,晶格常数比降低,显著提高了Co0.85W0.15薄膜的磁晶各向异性.因此,可以通过缓冲层的成分设计实现不同磁性材料的磁晶各向异性.

关键词: Co-W磁性薄膜 , 直流磁控溅射 , 晶格常数比 , 磁晶各向异性能

Ru-Cr下底层成分对Co-W磁性薄膜结构和磁性能的影响

王建军 , 高崇 , 刘春明

材料研究学报

用直流磁控溅射在300℃不同Ru-x% Cr (x=0,20,40)下底层沉积制备了Co-15% W(原子分数)磁性薄膜.用XRD表征了薄膜的精细晶体结构,分析了Co-W和Ru-Cr层的取向关系,估算了薄膜层的晶格常数、c轴分散角、fcc/hcp体积百分比和堆垛层错密度值.结果表明,随着Ru-Cr下底层Cr成分的增加Co-W磁性层和Ru-Cr下底层间的晶格错配度降低,hcp-Co的晶格常数比c/a随之减小.磁性能测试结果证实,由于Co-W磁性层中晶格常数比c/a的减小磁性层的磁各向异性能显著提高.

关键词: 金属材料 , Co-W磁性薄膜 , XRD , 晶体结构 , 磁各向异性能

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