熊杰
,
陶伯万
,
谢廷明
,
陈家俊
,
刘兴钊
,
张鹰
,
李言荣
功能材料
采用自制的大面积四靶溅射设备,并结合基片的调速双轴旋转,成功研制出3英寸双面CeO2薄膜及YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜.通过对所制备薄膜的微观结构、表面形貌以及电性能的分析测试,得到的CeO2薄膜与YBCO薄膜具有良好的c轴外延取向,CeO2薄膜的(002)峰与YBCO薄膜的(005)峰FWHM均小于1°.薄膜厚度均匀性良好,厚度起伏在±5%以内.YBCO薄膜Tc分布在88.5～90K,△TC＜1K,Jc＞1×106A/cm2,Rs(10GHz,77K)两面分别为0.53mΩ和0.56mΩ,能较好地满足微波器件研制中的需要.
关键词:
YBCO薄膜
,
CeO2缓冲层
,
调速双轴旋转
,
微波器件
杨坚
,
石东奇
,
常世安
,
袁冠森
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.04.013
论述了具有立方织构的金属镍基底上, 采用射频磁控溅射的方法制备CeO2缓冲层. 以Ar/H2混合气体作为溅射气体, 有效地抑制了NiO的形成, 获得纯c轴取向的CeO2薄膜. X射线φ扫描、ω扫描和极图的测试分析表明, CeO2薄膜在平面内和垂直于膜面方向晶粒都是有序排列的, 具有良好的立方织构.
关键词:
CeO2缓冲层
,
磁控溅射
,
立方织构
,
金属镍
雷跃刚
,
王霈文
,
李弢
,
古宏伟
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.06.006
用金属铈作为靶材, 采用射频反应磁控溅射法在(1102)蓝宝石衬底上制备C轴取向CeO2外延薄膜缓冲层. 结果表明在温度低于450 ℃或溅射功率低于50 W的条件下CeO2 薄膜呈(111)取向生长; 升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱, (002)取向增强; 在温度高于750 ℃或溅射功率高于120 W条件下CeO2薄膜呈(111)取向和(002)取向混合生长. 结合X射线衍射仪和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌, 获得在最优化条件下(衬底温度在680 ℃左右, 溅射功率在80 W左右, 溅射气压在25 Pa, 氩氧比在15∶1)制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向和平整的表面.
关键词:
反应溅射
,
CeO2缓冲层
,
蓝宝石
,
外延生长
谢清连
,
游峰
,
蒙庆华
,
季鲁
,
周铁戈
,
赵新杰
,
方兰
,
阎少林
人工晶体学报
本文报道了在(001)掺钇氧化锆(YSZ)基片上生长高质量CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜的制备方法,以及不同厚度的超导薄膜对其特性的影响.XRD和SEM测试表明,在经过合适条件退火的基片和CeO2缓冲层上,所生长的Tl-2212薄膜具有致密的晶体结构、优良的面内和面外取向.最佳样品的临界转变温度(Tc)和临界电流密度为(Jc)可以分别达到107.5 K和 4.24 MA/cm2(77 K,0 T).实验结果表明,采用该工艺所制备的不同厚度Tl-2212超导薄膜的主要指标能满足开发多种超导器件的要求.
关键词:
Tl-2212超导薄膜
,
YSZ
,
CeO2缓冲层
熊杰
,
陶伯万
,
谢廷明
,
陈家俊
,
刘兴钊
,
张鹰
,
李金隆
,
李言荣
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.03.009
实验采用射频溅射法在(1 102)蓝宝石基片上制备(00l)取向CeO2外延薄膜.低温、低溅射功率都会导致CeO2薄膜呈(111)取向生长.当基片温度在700℃～750℃,溅射功率在100～150W范围内能够制备得到高质量(00l)取向CeO2缓冲层.所制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面.用这些缓冲层作为生长面制备得到的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜为完全(00l)取向,且面内取向性良好,并具有优越的电学性能:其临界转变温度(Tc)为89.5K,临界电流密度Jc(77K,0T)约1.8×106 A/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)大约为0.50mΩ,能较好的满足微波器件应用中的需要.
关键词:
YBCO超导薄膜
,
CeO2缓冲层
,
外延生长
李果
,
蒲明华
,
孙瑞萍
,
王文涛
,
张欣
,
武伟
,
雷鸣
,
张红
,
杨烨
,
程翠华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层.结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹.比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1 μm×1μm的范围内仅为2 nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层.
关键词:
CeO2缓冲层
,
高分子辅助
,
化学溶液沉积
