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Ce:KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响

郭庆林 , 李彦 , 李盼来 , 邓桂英 , 怀素芳 , 李旭

人工晶体学报

本文采用非同时读出条件下两波耦合实验装置,以532 nm的单频固体激光器为光源,在不同写入光夹角θ、抽运光的偏振方向与e偏振光的方向呈10°、信号光为e偏振光及不同信号光与抽运光光强比条件下,通过改变写入光在Ce: KNSBN晶体内的不同位置研究其对两波耦合有效增益的影响.研究结果表明,在相同角度下写入光强比为1: 10,写入光在晶体内位置d=0.1 cm时最佳,有效增益达到最大.在最佳写入光位置,写入光强比为1: 10时,在写入光夹角为24°时两波耦合有效增益为最大.并对实验结果进行了理论拟合与分析.

关键词: 光折变 , 写入光 , 耦合位置 , Ce:KNSBN晶体 , 有效增益

抽运光偏振态对晶体两波耦合增益的影响

郭庆林 , 李彦 , 张云英 , 赵云 , 李盼来 , 哈艳

人工晶体学报

采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,以532 nm单频固体激光器为光源,研究了抽运光偏振态对Ce: KNSBN晶体两波耦合有效增益的影响.结果表明:在信号光为e光且入射光夹角为30 °条件下,当抽运光偏振态与e光夹角为10 °时,有效增益最大;通过比较信号光打开与关闭条件下不同偏振态抽运光入射晶体时信号光及抽运光透射光强,分析得出最大增益存在的原因是偏振角为10 °时抽运光的o光分量很好的起到了擦除光扇的作用,抑制了光扇的发生,从而增益最大.取抽运光偏振态与e光夹角为10 °,研究入射光光强比对Ce: KNSBN晶体两波耦合有效增益的影响,结果发现随入射光光强比的增大,有效增益先增大后减小,光强比为1: 50时对应的增益最大为33.8.同时对研究结果进行了相应的物理解释.

关键词: Ce:KNSBN晶体 , 两波耦合 , 偏振态

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