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真空蒸发沉积CdZnTe纳米薄膜的结构与形貌

周昊 , 介万奇 , 查钢强 , 高俊宁

功能材料

采用真空蒸发沉积技术在ITO玻璃上制备得到CdZnTe纳米晶薄膜,并利用台阶仪、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了CdZnTe薄膜厚度、成分、结构和形貌特征.实验结果表明,薄膜在(111)面表现出明显的择优生长特性.在薄膜生长初期,纳米薄膜中存在一定程度的非晶态富集Te,但随着沉积时间延长,薄膜成分向化学计量比逼近,结构也向闪锌矿CdZnTe转变.薄膜表面形貌平整,粗糙度R_a约为2~5nm.随着沉积时间的延长,薄膜形貌由晶粒堆砌状向多晶层片连接状转变.在沉积时间分别为15、30和45min时,薄膜的厚度依次分别约为100、300和500nm,而薄膜的晶粒平均尺寸依次分别为43.15、30.81和71.94nm.

关键词: CdZnTe薄膜 , 纳米 , 结构 , 形貌

铝诱导对磁控溅射制备CdZnTe薄膜结晶的影响

潘松海 , 周海 , 曾冬梅

功能材料

选用Cd0.9Zn0.1Te晶体和纯度为99.999%的铝为靶材,结合Al诱导晶化技术,采用磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了CdZnTe薄膜.研究了铝诱导CdZnTe薄膜的结构和形核机理.研究表明,铝诱导的CZT薄膜为闪锌矿结构,且为(111)晶面的取向生长;在薄膜生长过程中,覆盖在CdZnTe表面的铝首先与ZnTe结合,形成了ZnAl2Te4相,并以此为核心,诱导CdZnTe异质形核结晶,重新形成了小晶粒团簇的较致密颗粒状薄膜,提高了薄膜(111)面的优势取向结晶,提高了CdZnTe薄膜的结晶质量.讨论了薄膜的光学性能.

关键词: CdZnTe薄膜 , 铝诱导 , 磁控溅射 , 形核机理 , 光学性能

CSS法制备CdZnTe薄膜时衬底温度的影响规律

袁妍妍 , 介万奇 , 高俊宁 , 查钢强

功能材料

采用近空间升华法(close-spaced sublimation,CSS),以CdZnTe化合物粉料为原料制备了CdZnTe薄膜,采用XRD、SEM、紫外光谱仪等对其进行了性能表征,并研究了不同生长温度对薄膜生长速率、结构、Zn含量和光学特性的影响规律.研究结果表明,薄膜的生长速率随着生长温度的升高而增大,且温度>528℃时生长速率迅速增大;不同温度下制备的CdZnTe薄膜结构均为立方相,且都表现出沿(111)晶面的择优生长,高温时择优取向更强一些;晶粒尺寸随着温度升高而增大,在438℃时颗粒尺寸约为1μm,而568℃时约为20tμm;薄膜禁带宽度受温度影响不大,在1.49~1.51eV之间.

关键词: CdZnTe薄膜 , 近空间升华法 , 太阳能电池 , 形貌 , 结构

铝膜溅射功率对铝诱导CdZnTe薄膜结构及性能影响

曾冬梅 , 慕银银 , 潘松海 , 刘皖 , 陈飞

人工晶体学报

采用磁控溅射法制备CdZnTe先驱薄膜/金属Al膜的层叠结构,利用铝诱导技术制备CdZnTe薄膜.通过原子力显微镜、X射线衍射、Raman光谱仪和半导体特性分析系统,研究了铝膜溅射功率对铝诱导CdZnTe薄膜结构及性能的影响.结果表明:随着铝膜溅射功率的增加,铝诱导CdZnTe薄膜表面的薄膜结晶质量、晶粒尺寸和薄膜电阻率先增大后减小.铝诱导晶化的效果与铝膜溅射功率有关,当铝膜溅射功率达到100 W,CdZnTe薄膜的晶化诱导效果最显著,薄膜结晶质量最好,晶粒尺寸最大.

关键词: CdZnTe薄膜 , 磁控溅射 , 溅射功率 , 铝诱导结晶

控制降温对近空间升华法沉积CdZnTe薄膜形貌与结构的影响

高俊宁 , 袁妍妍 , 何亦辉 , 于晖 , 仝俊利 , 王涛 , 介万奇

功能材料

采用场发射扫描电镜和X射线衍射技术研究了生长结束后的降温过程对以近空间升华法生长的CdZnTe薄膜形貌与结构的影响。分析了快速(炉冷,673K以上-8K/rain)和慢速(-2K/min)两种降温速率下获得的CdZnTe薄膜的结构与形貌,并考察了降温中是否阻断生长源向薄膜的传质的影响。结果表明,所得到的薄膜均为闪锌矿结构,降温时薄膜的持续生长将抑制晶粒在平面内铺展而使其棱角钝化的趋势,以较慢的速率降温和降温时阻断传质均有利于提高薄膜的致密度,降低粗糙度及薄膜的织构强度。

关键词: Ⅱ—Ⅵ族半导体 , CdZnTe薄膜 , 近空间升华

溅射功率对CdZnTe薄膜成分和结构的影响

曾冬梅 , 周海 , 卢一民 , 杨英歌

功能材料

采用Cd0.9Zn0.1Te晶体作为溅射靶在玻璃衬底上利用磁控溅射法制备出CdZnTe薄膜,研究了溅射功率对CdZnTe薄膜的成分、结构特性的影响。制备的CdZnTe薄膜是具有闪锌矿结构的多晶薄膜,沿(111)择优取向。随着溅射功率的增大,薄膜沉积速率增大,薄膜结晶质量提高。采用晶体靶Cd0.9Zn0.1Te溅射CdZnTe薄膜时,无论是在何种功率下CdZnTe薄膜中的Cd原子成分均高于Te原子成分,Cd原子表现为择优溅射原子。

关键词: 磁控溅射 , 溅射功率 , CdZnTe薄膜

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