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Cd1-xZnx合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长

杨炬 , 桑文斌 , 钱永彪 , 史伟民 , 王林军 , 刘冬华 , 闵嘉华 , 李志峰 , 苏宇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.004

本文运用热力学关系估算了CdZnTe熔体平衡分压.尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源控制Cd分压和Zn分压进行了Cd 0.8Zn 0.2Te晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系.获得的Cd 0.8Zn 0.2Te晶体的电阻率接近1010Ω·cm,高于同类方法文献报道1~2个数量级.晶体的结构完整性较好,平均腐蚀坑密度(EPD)为2×105cm-2,纵向组成分布偏离度在4%左右,红外透过率大于60%,晶体中第二相和沉淀物明显减少,优于仅采用Cd分压控制的Cd0.8Zn0.2Te晶体.

关键词: CdZnTe晶体 , 布里奇曼法 , CdZnTe熔体平衡分压 , γ探测器

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