聂中明
,
傅莉
,
任洁
,
徐聪
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.09.003
采用扫描电镜及EDS测试研究了高电阻CdZnTe金电极与外引线的超声焊接工艺,探讨了CdZnTe表面处理工艺、接触电极厚度及焊接参数对引线超声焊接质量的影响规律.研究结果表明,经机械抛光表面处理的CdZnTe晶片,其金电极与外引线间容易实现超声焊接;CdZnTe电极厚度与引线焊合率之间呈抛物线关系,获得最佳焊接质量的电极厚度为180nrn左右.楔入压力和焊接功率是影响CZT金电极与引线焊接质量的重要因素,当焊接功率为2W、焊接压力为60×10-3kg、焊接时间20ms和烧球强度1.5W时,易获得良好的CdZnTe金电极与引线焊接接头.
关键词:
CdZnTe晶片
,
超声焊接
,
表面处理
,
电极厚度
刘登峰
,
李园园
,
汪晓芹
,
杨志远
材料保护
常用于X射线和γ射线探测器中的CdZnTe(CZT)晶片经机械抛光后表面存在损伤层和许多肉眼看不到的划痕,采用溴甲醇(Br2-CH3OH)腐蚀可有效去除损伤层和划痕,使表面变得光亮平整.但经Br2-CH3OH腐蚀的表面富Te而产生较大的表面漏电流,为此,采用H2O2溶液,NH4F/H2O2溶液,KOH-KCl溶液+NH4F/H2O2溶液二步法和溴水4种湿法化学钝化工艺,对CZT晶片表面进行了钝化处理,并对比了其钝化效果.结果表明:二步法钝化效果最好,表面漏电流降低4个数量级,NH4F/H2O2对CZT晶片表面的钝化效果较好,表面漏电流降低3个数量级.
关键词:
钝化
,
CdZnTe晶片
,
化学抛光
,
表面漏电流
,
探测器
张连东
,
聂中明
,
傅莉
,
查钢强
,
介万奇
功能材料
采用化学镀金法在高阻p-CZT(CdZnTe)晶片表面制备Au电极,并用改进的圆环传输线模型(Ring-CTLM)测量了CZT电极的接触电阻,探讨了大气气氛下退火温度对CZT电极欧姆特性的影响.实验结果表明,200℃退火可以显著改善欧姆特性,使接触电阻率ρc显著减小,采用Ring-CTLM模型测得CZT与金电极接触电阻率为0.1524Ω·cm2.通过XPS分析了CZT与Au电极接触界面的成分,发现在Au/p-CdZnTe界面处形成了CdTeO3层,该界面层可起到载流子复合中心的作用,构建的新模型很好地解释了化学镀金法在p-CdZnTe晶片表面形成欧姆接触的机理.
关键词:
CdZnTe晶片
,
化学镀金
,
接触电阻率测量
,
CdTeO3界面层
孙玉宝
,
傅莉
,
任洁
,
查钢强
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.05.019
本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺.通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响.研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层.刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大.减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低.
关键词:
氧离子刻蚀
,
CdZnTe晶片
,
表面性能
