何志刚
,
李蓉萍
,
董海成
,
安晓晖
,
吴蓉
,
李忠贤
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2011.02.003
用真空热蒸发法在玻璃衬底制备CdTe和Cd掺杂CdTe薄膜.研究热处理和Gd掺杂量对CdTe薄膜结构、光学特性的影响.结果表明,薄膜均为立方闪锌矿结构,Gd的掺入没有改变薄膜的晶体结构,但使薄膜的晶粒尺寸减小,晶格常数和晶胞体积略有增大,并使其择优取向由[220]晶向变为[111]晶向.掺Gd使薄膜在可见光范围透过率增强,但对光能隙影响不大.
关键词:
真空蒸发
,
CdTe薄膜
,
Cd掺杂
,
光学特性
李锦
,
郑毓峰
,
戴康
,
徐金宝
,
陈树义
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.031
采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致CdTe膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善.
关键词:
近距离升华(CSS)技术
,
CdTe薄膜
曹胜
,
武莉莉
,
冯良桓
,
王文武
,
张静全
,
郁骁骑
,
李鑫鑫
,
李卫
,
黎兵
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150310
蒸汽输运法是制备高质量且大面积均匀的 CdTe 薄膜的一种优良的方法。采用自主研发的一套蒸汽输运沉积系统制备了 CdTe 多晶薄膜,并研究了衬底温度对 CdTe 薄膜性质及太阳电池性能的影响。利用 XRD、SEM、UV-Vis和Hall等测试手段研究了衬底温度对薄膜的结构、光学性质和电学性质的影响。结果表明,蒸汽输运法制备的CdTe薄膜具有立方相结构,且沿(111)方向高度择优。随着衬底温度的升高(520℃～640℃), CdTe薄膜的平均晶粒尺寸从2mm增大到约6mm, CdTe薄膜的载流子浓度也从1.93×1010 cm–3提高到2.36×1013 cm–3,说明提高衬底温度能够降低CdTe薄膜的缺陷复合,使薄膜的p型更强。实验进一步研究了衬底温度对CdTe薄膜太阳电池性能的影响,结果表明适当提高衬底温度,能够大幅度提高电池的效率、开路电压和填充因子,但是过高的衬底温度又会降低电池的长波光谱响应,导致电池转换效率的下降。经过参数优化,在衬底温度为610℃、无背接触层小面积CdTe薄膜太阳电池的转换效率达到11.2%。
关键词:
蒸汽输运法
,
CdTe薄膜
,
衬底温度
,
转换效率
刘绰
,
张雷
,
马蕾
,
彭英才
材料热处理学报
采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250～400℃条件下进行后退火处理.利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的结构、光学和电学特性.结果表明,所制备的薄膜为立方闪锌矿结构,择优取向为< 111>晶向,提高退火温度可以促进薄膜结晶;光学测量结果证实,随退火温度升高,薄膜样品的光学带隙由1.527 eV减小到1.496 eV;电流-电压测试表明,薄膜电导率随退火温度的增加,由0.97 μS/cm增大至87.3 μS/cm.
关键词:
真空热蒸发
,
CdTe薄膜
,
退火处理
,
结构特性
王静宇
,
刘朝旺
,
杨玉林
,
宋炳文
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.01.012
通过优化GaAs表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、GaAs表面预处理工艺、生长条件及优选GaAs衬底方向等措施,在水平与常压MOVPE装置中,用二乙基锌(DEZn)、二甲基镉(DMCd)、二异丙基碲(DiPTe) 和元素汞,采用互扩散多层工艺(IMP),在GaAs衬底上生长出了MCT/CdTe/GaAs,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进.
关键词:
MOVPE
,
CdTe薄膜
,
表面形貌
李锦
,
郑毓峰
,
徐金宝
,
孙严飞
,
陈树义
功能材料
采用真空热蒸发VE、射频溅射沉积RF和近距离升华CSS技术制备CdTe薄膜,并对其进行掺杂研究.样品利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计和霍尔系数测量系统进行测试.结果显示,CSS制备的CdTe薄膜与VE和RF法制备的薄膜相比,晶粒大,晶形好.适当的掺杂某些元素,适当的掺杂量,可以改善CdTe薄膜的结晶性能,提高其导电性能.掺杂对CdTe薄膜的光能隙影响不大.
关键词:
CdTe薄膜
,
制备
,
掺杂
蒋显辉
,
郑家贵
,
黎兵
,
夏庚培
,
武莉莉
,
冯良桓
,
蔡伟
,
张静全
,
李卫
,
雷智
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.014
通过研究大面积CdTe多晶薄膜沉积的升温过程,并调节石墨群边改进加热灯管的分布获得了较均匀的温场,在混合氩氧气氛下,用自行设计制造的近空间升华系统制备出了面积为300 mm×400 mm的大面积CdTe多晶薄膜,利用XRD、SEM研究其结构、成分和形貌,结果表明:CdTe薄膜呈(111)择优取向,且薄膜总体致密均匀,晶粒大小约为1 μm左右.用此大面积CdTe薄膜的不同部分制备的CdS/CdTe/ZnTe:Cu小面积太阳电池效率相差不大,说明薄膜的均匀性较好.
关键词:
CdTe薄膜
,
近空间升华法
,
大面积
