覃文治
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郑家贵
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蔡伟
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冯良桓
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蔡亚平
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张静全
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李卫
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黎兵
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武莉莉
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李阳华
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岳磊
,
郑华靖
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.02.026
在镀上金属电极前,对CdTe表面进行化学蚀刻是制备高效率碲化镉薄膜太阳电池的关键技术之一.本实验用Br2-甲醇对热处理后的CdTe薄膜进行蚀刻,并利用XRD、AFM研究其结构、成分和形貌.结果表明:蚀刻后的CdTe薄膜获得一银灰色的光洁表面,并发现CdTe薄膜表面产生一富Te层,蚀刻厚度达到1μm获得性能最好的太阳电池.用Br2-甲醇蚀刻后的CdTe薄膜,采用ZnTe/ZdTe:Cu复合层作为背接触层的过度层,已获得了转换效率为13.38%的太阳电池.
关键词:
Br2-甲醇
,
蚀刻
,
CdTe太阳电池
杨学文
,
郑家贵
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蔡伟
,
冯良桓
,
蔡亚平
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张静全
,
黎兵
,
李卫
,
武莉莉
功能材料
采用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜,以ZnTe/ZnTe:Cu复合多晶薄膜作为背接触层,获得了转换效率为13.38%的CdTe/CdS太阳电池.用光强为100mW/cm2的卤钨灯对电池光照7天后,发现电池性能无明显变化.经能量为1.6MeV,辐照剂量为1013～1015电子/cm2的电子束辐照后,电池性能有不同程度的衰降,经真空150℃退火30min后,电池性能恢复到接近辐照前的水平.
关键词:
CdTe太阳电池
,
光照
,
电子辐照
束青
,
武莉莉
,
冯良桓
,
王文武
,
曹五星
,
张静全
,
李卫
,
黎兵
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150148
采用CdTe和Te双源共蒸发的方法,调控CdTe和Te源的蒸发速率,首次制备出一系列不同x组分的CdxTe二元化合物薄膜,并在N2气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外–可见吸收光谱分析及暗电导率–温度关系对CdxTe薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外–可见吸收光谱分析表明,不同x组分的CdxTe薄膜,其禁带宽度可在0.99~1.46 eV之间变化,随着x值从0.8减小到0.2,吸收边向长波方向移动,而且透过率也显著下降。XRD结果表明, x值小于0.6时,刚沉积的CdxTe薄膜为非晶相；随着x的值逐渐靠近1,刚沉积的薄膜明显结晶,沿CdTe(111)方向择优生长,退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。CdxTe薄膜的导电类型为p型,其暗电导率随温度的上升而增大,当温度继续升高至临界点时,薄膜暗电导率–温度关系出现反常。这些结果表明, CdxTe薄膜将有望用于CdTe薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。
关键词:
CdxTe薄膜
,
双源共蒸发
,
CdTe太阳电池
王佛根
,
陈蕴璐
,
任胜强
,
张家远
,
武莉莉
,
冯良桓
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160357
采用Al和CdS双靶共溅射的方法,调控Al和CdS源的沉积速率,制备出不同Al掺杂浓度的CdS∶Al薄膜.通过XRD、SEM、AFM、紫外-可见透射光谱分析、常温霍尔测试对CdS∶ Al薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征.XRD结果表明,不同Al掺杂浓度的CdS∶Al薄膜均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,并且在(002)方向择优生长.SEM和AFM结果表明,CdS∶Al薄膜的表面均匀致密,表面粗糙度随着Al掺杂浓度的增加略有增加.紫外-可见透射光谱分析表明,CdS∶Al薄膜禁带宽度在2.42～2.46 eV之间,随着Al掺杂浓度的增加而略微减小.常温霍尔测试结果证明,掺Al对CdS薄膜的电学性质影响显著,掺Al原子浓度3.8％以上的CdS薄膜,载流子浓度增加了3个数量级,电阻率下降了3个数量级.掺Al后的CdS薄膜n型更强,有利于与CdTe形成更强的内建场,从而提高太阳电池效率.用溅射方法制备的CdS∶Al薄膜的性质适合用作CdTe薄膜太阳电池的窗口层.
关键词:
CdS∶Al薄膜
,
射频磁控溅射
,
CdTe太阳电池
