杨辉
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张志勇
,
张敏
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王茂州
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陈太红
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曾体贤
人工晶体学报
总结了CdSe单晶体的多种生长方法,包括温度梯度熔体法,移动区熔法,助熔剂法和气相提拉法等,其中气相提拉法能有效提高CdSe单晶体的晶体纯度及光学质量.介绍了CdSe晶体用于红外非线性光学器件以及室温核辐射探测器件的研究进展,并对CdSe晶体制作中红外偏振测量用波片进行了展望.
关键词:
CdSe单晶体
,
气相提拉法
,
非线性光学器件
,
中红外波片
金应荣
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朱世富
,
赵北君
,
王学敏
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宋芳
,
李奇峰
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.018
化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响.本文根据相平衡原理,利用热力学分析方法,分析了CdSe单晶体的气相生长过程,阐明了控制化学配比的原理,指出只有在固-液-气三相平衡或接近三相平衡的条件下,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料,在1120~1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体.
关键词:
CdSe单晶体
,
气相生长
,
相平衡
罗政纯
,
朱世富
,
赵北君
,
王瑞林
,
陈松林
,
何知宇
,
李艺星
,
任锐
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.008
用双氧水对CdSe单晶(110)表面进行钝化,采用X射线光电子能谱(XPS)分析了湿氧处理的CdSe(110)表面的化学特征.通过两次不同分析模式FAT(固定通能)和FRR(固定减速比)所得到的结果表明:CdSe表面出现Se偏析,表面上形成了SeOx(x<1),SeO、Cd(OH)2和CdCO3的高电阻稳定氧化层,消除了器件表面态,可以减少器件的表面漏电流和改善其信噪比.
关键词:
CdSe单晶体
,
表面钝化
,
XPS
温才
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赵北君
,
朱世富
,
王瑞林
,
何知宇
,
任锐
,
罗政纯
,
李艺星
功能材料
通过变温(20~300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.
关键词:
CdSe单晶体
,
核辐射探测器
,
霍尔效应