焦培培
,
张海黔
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00838
通过溶剂热法, 在180℃, 利用聚丙烯酰胺辅助合成了直径约为20nm, 长度为几百纳米到几微米的CdSe纳米线. 通过XRD、TEM、HRTEM表征了产物的结构和形貌, 并且讨论了反应时间对产物形貌的影响以及聚合物辅助纳米线生长的机制. 通过紫外-可见光谱和光致发光光谱研究了纳米线的光学性能, 在660nm处有一明显的吸收峰, 与体相材料相比具有明显的量子尺寸效应.
关键词:
CdSe
,
nanowires
,
solvothermal
,
polyacrylamid
于子龙
,
陈福义
,
介万奇
,
阎晓红
功能材料
在氧化铟锡玻璃上电化学合成了CdSe薄膜,采用垂直沉积法首次在CdSe薄膜上制备了SiO2胶体晶体, 实现了CdSe表面介电常数的调节.扫描电镜观察表明,500nm微球在CdSe薄膜上呈面心立方密堆结构排列,在微米尺度上胶体晶体显示出一定的多晶序.与SiO2胶体晶体相比,CdSe-SiO2光子晶体的UV-vis-NIR透射谱只有一个较宽的光子带隙,带隙在近红外波段随入射角减小向短波方向移动.所得CdSe-SiO2光子晶体样品可作为地面目标针对红外卫星成像的伪装材料.
关键词:
胶体晶体
,
光子带隙
,
垂直沉积
,
CdSe
于子龙
,
陈福义
,
介万奇
,
闫晓红
功能材料
使用电化学法在ITO玻璃上制备了CdSe纳米晶薄膜.研究了沉积电位对薄膜晶体结构、表面形貌及光学性质的影响,并讨论了所得样品禁带宽度与晶粒尺寸的关系.X-ray衍射结果表明:沉积电位在-600～-700mV之间均可得到立方相CdSe,晶粒尺寸随沉积电位降低而增大.原子力显微镜观察表明,沉积电位较高时,粒子聚集为块状或柱状,沉积电位较低时,粒子呈现不均匀团聚.透射光谱测试显示:在350～850nm波段范围内,随沉积电位降低,透过率降低,吸收边红移.所得样品的禁带宽度均比体相CdSe大,且随晶粒尺寸的增大而减小,表现出明显的量子尺寸效应.
关键词:
电沉积
,
薄膜
,
量子尺寸效应
,
CdSe
何知宇
,
赵北君
,
朱世富
,
王瑞林
,
陈松林
,
李艺星
,
罗政纯
,
任锐
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.010
本文报道了对硒化镉(CdSe)合成反应的反应焓变,反应熵变,Gibbs自由能以及配料的化学计量的分析计算,从热力学角度论证了在中温(～650℃)下直接液相合成高纯CdSe的可能性.按照理论分析结果选择技术参量进行了CdSe液相合成实验,并采用X射线粉末衍射谱法对合成产物进行了分析,结果证实了热力学分析的正确性.
关键词:
热力学
,
合成
,
CdSe
,
XRD
徐飞
,
马向阳
,
李东升
,
杨德仁
材料科学与工程学报
本文用共混法制备CdSe/PMMA纳米复合材料,用荧光光谱(PL)研究了该复合材料的发光性质.通过延长激光照射时间并进行原位PL跟踪测试,我们发现了该复合材料中有机物基体发光不断减弱而CdSe纳米粒子发光不断增强且稍许红移的现象.我们对于这一现象的起因做出了初步的解释.
关键词:
CdSe
,
PMMA
,
PL
,
纳米复合材料
卢大洲
,
朱世富
,
赵北君
,
曾体贤
,
何知宇
人工晶体学报
根据硒化镉(CdSe)晶体结构的特点,发展了一种简便、快捷、准确的定向方法.此法只需观察CdSe晶体解理面上台阶的走向,便可确定CdSe晶体的C轴方向,即解理面上台阶延伸的方向为CdSe晶体的C轴方向,并采用X射线衍射法对结果进行了验证.已知C轴和某一晶面,借助激光正反射技术,可在CdSe单晶体上定向切割出任意所需的晶面.
关键词:
CdSe
,
晶体定向
,
晶体结构
,
解理面
,
台阶
,
激光正反射
王慧丽
,
马晓东
,
钱雪峰
,
朱子康
材料导报
用化学浴沉积的方法,以CdCl2·2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,60℃下反应制备CdSe薄膜,并用XRD、FESEM、UV-Vis等方法进行了表征,研究表明生成的薄膜由粒径分布均匀的粒子组成.进一步以PDMS为印章,以OTS-甲苯溶液为"墨水",用微接触印刷的方法制备了CdSe薄膜的图形.
关键词:
CdSe
,
化学浴沉积法
,
图形化
,
微接触印刷
梁春杰
,
冷利民
,
何军
,
庞起
,
周立亚
,
罗济文
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.02.019
采用阳极氧化法在钛基底上生长了一维高度有序TiO2纳米管阵列,并与CdSe四脚状晶体及CdSe量子点组装成一种新型的量子点敏化太阳能电池( QDSSCs).该阵列结构为光生电子的传递提供了快速通道,CdSe四脚状三维空间结构增加了其吸附在TiO2纳米管阵列的稳定性.采用XRD,SEM和HR-TEM对阵列及CdSe四脚状和量子点进行了表征.考察了CdSe四脚状和量子点敏化纳米管阵列三电极电池结构的光电性能.XRD谱图表明TiO2的锐钛矿晶型特征峰没有发生变化,同时出现了一系列的CdSe六方晶型和立方晶型特征峰.SEM图表明所制备的TiO2具有高度有序的纳米管阵列结构,且孔径大小均一、约为120 nm,长度近13.8 μm.TEM和HRTEM图表明CdSe量子点具有四脚结构,CdSe核的直径约为4.1nm,臂宽约为3.1nm,臂长约为16.0nm.结果表明:通过四脚状CdSe修饰TiO2纳米管阵列基电极在可见光谱区域的吸收得到了明显增强；此外,在模拟太阳光(AM 1.5 100 mW·cm-2)的照射下,四脚状CdSe敏化比CdSe量子点敏化TiO2纳米管阵列三电极结构电池的光电转换效率高,它们分别为0.13％和0.30％.
关键词:
TiO2纳米管阵列
,
CdSe
,
四脚状
,
量子点
,
光电性能
