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王坤鹏 , 孙大亮 , 郭世义 , 苏静
功能材料
用倒置相差显微镜观察了CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD)晶体结晶过程的形态变化.同时用原子力显微镜(AFM)对CMTD的(001)面进行形貌观察,测得的初级台阶高度为1.411nm,是晶胞参数c的一半,发现了螺旋生长丘及缺陷,并对生长丘的中心孔芯作了初步分析,讨论了CMTD晶体所特有的"树杈状"和"一字形"缺陷及形成机理.
关键词: CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD) , 生长机理 , 缺陷