汪雪梅
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王文武
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武莉莉
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张立祥
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冯良桓
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张静全
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李卫
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.08.030
采用双靶共溅射法,分别在不同衬底温度、沉积压强和溅射功率下制备了 Cd1-x Znx Te 多晶薄膜样品,并采用X射线衍射仪、X 射线荧光光谱仪、扫描电子显微镜等方法对制备的 Cd1-x Znx Te 薄膜的结构、成分、形貌和光电学性质进行测试分析。结果表明,300℃衬底温度下制备的Cd1-xZnxTe薄膜成分单一,立方相结构,生长致密,表面颗粒平均大小约50 nm,Cd1-x Znx Te薄膜在(111)晶面的2θ值及晶格常数与Zn组分呈线性关系。Cd1-x Znx Te薄膜的禁带宽度与组分x 值呈线性关系。随着气压从8 Pa降低至1 Pa,Cd1-x Znx Te薄膜的晶粒尺寸增加,生长更加致密。Cd1-xZnxTe薄膜的室温电导率约为8.61×10-11(Ω·cm)-1,呈弱P型。
关键词:
Cd1-x Znx Te薄膜
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磁控溅射
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叠层电池
