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溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究

段磊 , 闵嘉华 , 梁小燕 , 张继军 , 凌云鹏 , 杨柳青 , 邢晓兵 , 王林军

人工晶体学报

采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体.测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试.结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而头部晶体的Te夹杂尺寸、杂质和缺陷含量均小于中部.

关键词: 溶剂熔区移动法 , Cd0.9Zn0.1Te , 红外透过率 , 光致发光

溶剂熔区移动法制备Cd0.9Zn0.1Te晶体及性能研究

时彬彬 , 闵嘉华 , 梁小燕 , 张继军 , 王林军 , 邢晓兵 , 段磊 , 孟华 , 杨升

人工晶体学报

用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ～Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体.

关键词: 溶剂熔区移动法 , Cd0.9Zn0.1Te , 红外透过率 , PICTS

Cd0.9 Zn0.1 Te晶体的A1掺杂研究

刘伟华 , 介万奇 , 王涛 , 徐凌燕 , 徐亚东

功能材料

采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了A1掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响.在相同的工艺条件下,A1掺杂晶体获得了6 × 109～2 × 1010Ω·cm的高电阻率,呈弱p或弱n型导电;In掺杂晶体电阻率在105Ω·cm数量级,呈n型导电;A1掺杂晶体在波数4000～500cm-1范围内红外透过率平直且较高,而In掺杂晶体红外透过率随波数下降而降低,在波数1250cm-1处降至零.采用A1掺杂晶片制备的探测器对241Am 59.54keV射线的能量分辨率为14%,表明所生长A1掺杂晶体基本满足了探测器材料使用要求.

关键词: Cd0.9Zn0.1Te , Al掺杂 , 霍尔测试 , 红外透过率

Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd0.9Zn0.1Te晶体

李国强 , 谷智 , 介万奇

功能材料

采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为 30mm×130mm的Ccd0.9Zn0.1Te晶锭.测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率.结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法.

关键词: Cd0.9Zn0.1Te , Cd补偿垂直布里奇曼法 , EPD , 红外透过率 , 电阻率

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/38/6/062002

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