栾丽君
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介万奇
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张继军
稀有金属材料与工程
常温下测量了Cd0.8Mn0.2Te晶片和多个掺In浓度不同的Cd0.8Mn0.2Te(以下简称Cd0.8Mn0.2Te:In)晶片的法拉第旋转谱和吸收边附近的透射光谱.结果表明,随着入射光子能量的增大,Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.8Mn0.2Te:In的Verdet常数随之增大.掺In晶片的Verdet常数的变化与掺杂浓度有关:当光子能量在1.63～1.72 eV范围内逐渐增加时,未掺In的测量值的变化范围是710～1820(°)/cm·T;当In浓度为8.96×1016atoms/cm3时,Vcrdet常数增大到720～1960(°)/cm·T:当In浓度,n分别为2.39×1017,4.48×10atoms/cm3时,Verdet常数分别减小到660～1630,490～1090(°)/cm·T;当In浓度达到2.99×1019atoms/cm3时,在1.63～1.70 ev的光子能量范围内,Verdet常数减小到460～740(×)/cm·T.低掺In条件下,Verdet常数的增大是由于价带电子数增多,价带类P电子与Mn2+离子3d电子交换相互作用增强引起的;在高掺In量下,由于导带类s电子与Mn2+离子3d电子交换相互作用增强,导带能级分裂进一步减小,导致Cd0.8Mn0.2Te:In的Verdet常数减小.
关键词:
Cd0.8Mn0.2Te
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In法拉第旋转谱
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Verdet常数
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交换相互作用
