材料期刊网

1. 首页
2. 检索结果页

原词结果 | 译词结果

CZ法生长参数对TeO2晶体质量的影响

陶绍军 , 桑文斌 , 钱永彪 , 闵嘉华 , 方雅珂

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.02.016

本文主要讨论CZ法生长TeO2晶体中温度梯度、拉速、转速等工艺参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理.从晶体形态、包裹体和位错密度变化等方面探讨了晶体生长参数与晶体缺陷之间的内在关系.

关键词: 氧化碲晶体 , CZ法 , 工艺参数 , 晶体缺陷

国外红外用大尺寸锗晶体的生产方法及水平

李贺成 , 王铁艳

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.03.010

介绍了美国、独联体、日本、比利时和以色列用于8～12 μm红外系的锗晶体的生产方法, 包括CZ法、定向结晶法、铸造法、斯捷潘诺夫法、旋转晶片法、斯拉克巴杰法和籽晶垂直梯度凝固法. 国外已分别用CZ法和定向凝固法生产出Φ300 mm和Φ520 mm的大直径锗单晶.

关键词: 红外用锗晶体 , CZ法 , 定向凝固法 , 斯捷潘诺夫法 , 铸造法

CZSiGe单晶的 FTIR光谱研究

蒋中伟 , 张维连 , 牛新环 , 张书玉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.006

利用傅立叶红外光谱( FTIR)测试技术,研究了掺锗 CZSi的低温和常温红外吸收光谱.发现 高浓度 Ge掺入 CZSi在红外吸收光谱中引起的波数为 1118 cm- 1、 710 cm- 1和 800 cm- 1的新红外 吸收峰,这些峰的吸收强度随 Ge含量的增加也逐渐增强;碳的红外吸收峰( 607 cm- 1)则向低频方 向移动.同时利用 X射线单晶衍射技术( SCXRD)测定了 SiGe( Ge: 10wt%)单晶的晶格常数,结果 表明晶格常数由 Si单晶的 0.54305nm变为 0.5446nm.

关键词: CZ法 , SiGe单晶 , 红外光谱

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词