徐鹏
,
廖敦明
,
李晋
,
周建新
,
孙飞
,
董长春
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.005
对不同直径圆柱预制体的 CVI 增密过程进行数值模拟研究,分析预制体尺度对增密过程及密度分布的影响。针对高90mm,直径分别为60、120、180mm的预制体,分别模拟 CVI 过程中预制体的孔隙率、密度以及孔隙平均尺寸分布和变化特征。结果显示,小直径预制体经过一段时间的沉积后密度分布较为均匀,且平均密度值很高；预制体直径较大时,沉积易发生在表面区域,导致表面区域密度较高,中心区域密度值较低,影响进一步的增密过程。
关键词:
预制体尺度
,
CVI
,
模拟
,
周期
,
密度梯度
童长青
,
成来飞
,
刘永胜
,
张立同
材料科学与工程学报
采用CVI结合浆料浸渍工艺制备2D C/SiC复合材料.研究了SiC微粉对复合材料微结构和力学性能的影响.结果表明,当碳纤维预制沉积SiC 80h后,微粉主要渗入到纤维束间.复合材料的力学强度随着渗微粉前CVI时间的增加及渗入浆料浓度的降低而增加.微粉的渗入大大降低了材料的层间剪切强度,而对材料的拉伸强度影响较小.
关键词:
2D C/SiC
,
微结构
,
力学性能
,
CVI
,
浆料浸渍
童长青
,
成来飞
,
张立同
,
徐永东
材料科学与工程学报
采用化学气相渗透(CVI)结合溶液浸渍法制备3D-C/SiC-(W-C)多元基复合材料,利用XRD、SEM技术对材料烧蚀前后的物相组成及微观结构进行表征,并讨论了复合材料的烧蚀性能.结果表明,3D-C/SiC-(W-C)复合材料的主要成分为WC、W、SiC和C,而烧蚀表面的主要成分为WO3、w和SiC.W-C不仅渗入纤维束间,还渗入到纤维束内.制得的C/SiC-(W-C)复合材料密度为3.3g/cm3,开气孔率为11%,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为4.3×10-2mm/s和7.2×10-3g/s.
关键词:
烧蚀
,
CVI
,
溶液浸渍
,
C/SiC-(W-C)复合材料
刘文川
,
邓景屹
材料导报
介绍了化学气相渗C/C材料在国内外的发展状况,指出落后的工艺技术阻碍了我国C/C产业的发展.金属所发明的化学气相渗新技术--HCVI能低成本快速制备C/C、C-SiC系列热结构复合材料.该方法是在热梯度法基础上,利用电磁耦合原理使反应气体中间产物在交变电磁场作用下更加活泼、碰撞几率增多,从而增加了沉积速率.试验证明采用这种新工艺制备C/C材料沉积速率提高了30～50倍,该方法特别适合制备碳和陶瓷基复合材料.
关键词:
CVI
,
HCVI
,
C/C材料
,
热结构复合材料
童长青
,
成来飞
,
殷小玮
,
刘永胜
,
张立同
,
鲁波
功能材料
在多孔C/SiC中渗入SiB4微粉后,采用先驱体浸渍裂解(PIP)结合化学气相渗透(CVI)法进行致密化制备C/SiC-SiB4复合材料.利用XRD、EDS、SEM分析了材料的组分及微结构.研究了材料在500～1000℃静态空气的氧化行为,并与致密C/SiC复合材料的氧化行为进行了比较.结果表明,SiB4主要渗入到纤维束间,它与随后PIP及CVI法引入的SiC较好地结合在一起.在氧化过程中,SiB4起自愈合作用,它能减缓碳纤维和界面的氧化.在600～900℃氧化10h后,C/SiC-SiB4的失重率均比致密C/SiC小,抗弯强度没有明显降低,且均比致密C/SiC高.
关键词:
C/SiC-SiB4复合材料
,
PIP
,
CVI
,
氧化
唐兵
,
张红波
,
熊杰
材料导报
分别以天然气和丙烯为前驱体制备了C/C复合材料.考察了密度和密度分布,借助偏光显微镜观察了沉积炭的显微结构,研究表明,天然气制备的C/C复合材料的密度大于丙烯制备的C/C复合材料的密度;在前60h以天然气为前驱体时C/C复合材料的致密化速率比以丙烯为前驱体时低,60h后致密化速率发生逆转;以天然气为前驱体所得C/C复合材料的密度梯度小,结构为单一的粗糙层;而以丙烯为前驱体所得C/C复合材料的密度梯度大,结构为光滑层.
关键词:
C/C复合材料
,
CVI
,
前驱体
,
致密化
,
显微结构
孙国岭
,
李贺军
,
齐乐华
,
王兆伟
,
胡志彪
,
陈强
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2006.z1.117
CVI工艺是制备碳基及陶瓷基复合材料的重要工艺.本文利用系统建模思想对CVI工艺模拟研究进行了综述和分析,归纳总结了三类CVI工艺模型:机理模型,辩识模型和定性推理模型;机理模型从传质传热、沉积动力学和孔隙演变三个方面进行了分析和总结,同时,分析CVI工艺三类模型存在的不足,并指出了进一步努力的方向.
关键词:
CVI
,
机理模型
,
辨识模型
,
定性推理模型
肖鹏
,
徐永东
,
黄伯云
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2001.04.008
为了提高CVI法制备C/SiC复合材料的致密化速度,提出了连续同步CVI(CSCVI)法制备C布增韧SiC基复合材料的技术路线,制备了C/SiC复合材料,并观察了其微观结构.实验结果表明,在CSCVI工艺中,SiC基体沉积速度越快,材料的致密化程度越大且致密效果越好.同时,SiC基体沉积速度只由沉积温度与MTS(CH3SiCl3)流量控制,使工艺的可操作性增强,工艺参数可在较大范围内变动.
关键词:
CSCVI
,
CVI
,
C/SiC
,
微观结构
,
致密度
宋麦丽
,
邹武
,
王涛
,
闫联生
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2001.01.006
通过SEM和XRD分析研究了在不同条件下反应生成的SiC基体的微观结构和组分。结果表明，反应温度对沉积SiC晶体的取向有很大的影响，温度在1 100℃以下沉积SiC为单一取向(111)(2θ≈35°)面，温度在1 100℃以上，沉积SiC主要有两种取向(111)面和(220)(2θ≈60°)面，还有少量的(311)(2θ≈70°)面。不同条件下生成的SiC晶粒的堆积方式有所不同，这直接影响了SiC基体的性能，从而影响了其复合材料的性能。此外反应气体流量也对SiC基体和复合材料性能有很大影响。本文进行了沉积温度和气体流量对SiC基体性能影响的研究，优化了CVI—SiC工艺。
关键词:
CVI
,
SiC基体
,
SEM分析
,
XRD分析
,
微观结构
