张玉娣
,
张长瑞
,
刘荣军
,
刘晓阳
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2004.04.007
采用先驱体转化法(PIP方法)制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过调整多孔预制件的体积密度制备出不同组分比的C/SiC复合材料.结果显示,C/SiC复合材料的热膨胀系数随着复合材料中SiC含量的增加而增加,其与CVD SiC涂层之间的热匹配也相应增加,通过CVI方法制备梯度过渡层,在C/SiC复合材料表面制备出致密度较高的CVD SiC涂层.
关键词:
C/SiC复合材料
,
热膨胀系数
,
匹配
,
CVDSiC涂层
