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采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜

赵君芙 , 赵丹 , 梁建 , 马淑芳 , 许并社

材料导报

采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析.结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰.

关键词: 半导体 , GaN多晶薄膜 , Al缓冲层 , CVD法

TiN粉末的制备方法

李吉利 , 蒋明学

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2011.05.018

简要介绍了TiN的性能及主要用途,分析和阐述了TiN粉末制备的研究现状及发展趋势,重点讨论了碳热还原氮化合成TiN粉末存在的问题和前景.

关键词: TiN粉末 , 制备 , 碳热还原氮化法 , CVD法 , 直接氮化法

失效AB5型贮氢合金电极材料在制备纳米碳管中的应用

冯猛 , 卢凤双 , 张羊换 , 王新林

材料导报

纳米碳管是一种性能优异的新型功能材料.利用循环失效后的AB5型贮氢合金电极材料作为反应催化剂、乙炔气体作为原料气体通过CVD法制备出多壁纳米碳管,研究了经过破碎、清洗、氧化处理后的失效AB5型贮氢合金电极材料在合成纳米碳管中的催化性能,讨论了不同氧化温度处理催化剂对纳米碳管产率、形貌和结构稳定性的影响.结果表明,氧化处理温度对催化剂的催化效能有明显的影响,600℃为最佳氧化处理温度.以氧化处理后的失效AB5型贮氢合金电极材料作为催化剂制备碳纳米管,方法简单易行,为废旧镍氢电池负极材料的回收再利用提供了一种新的思路.

关键词: 纳米碳管 , 贮氢合金电极材料 , 催化剂 , CVD法

载气在CVD法制备纳米碳管工艺中的作用

功能材料

纳米碳管是性能优异的具有准一维特征的纳米材料,CVD法是制备纳米碳管的典型工艺之一.本文以乙炔气体为原料气体、循环失效后的贮氢电极合金材料作为反应催化剂,研究了在相同反应条件下,CVD法制备纳米碳管过程中载气对纳米碳管形貌和产率的影响.通过对产物TEM观察和TG分析发现,虽然载气不直接参与合成反应但对产物产率和形貌有很大的影响,氢气作为载气可以获得形貌和热稳定性更好的纳米碳管.

关键词: 纳米碳管 , CVD法 , 载气 , 形貌 , 热稳定性

原位复合法复合PA6/巴基管复合材料的试验研究

贾志杰 , 王正元 , 梁吉 , 魏秉庆 , 吴德海 , 张增民

高分子材料科学与工程

经过硝酸处理的用CVD法生产的巴基管与PA6(尼龙6)采用原位复合法进行复合时,将以其外壁上联结的羟基-OH和羧基-COOH参与己内酰胺合成PA6的缩水聚合反应,从而结合到PA6的网状大分子结构中,同时也阻止PA6分子长大,并产生较大应力.用浓硝酸处理过的巴基管短小而且分散,在基体中微观下分散度高,可获得真正的纳米复合材料.未处理过的巴基管呈微米级分散,在基体中聚集成团,成为应力源,使复合材料的力学性能,特别是冲击韧性大大降低.巴基管可大大提高PA6的抗老化性能,延长使用寿命.

关键词: CVD法 , 巴基管 , 后处理 , 原位复合

空心微珠表面改性及其吸波特性

唐耿平 , 程海峰 , 赵建峰 , 楚增勇 , 周永江

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2005.06.003

通过CVD方法在空心微珠表面进行金属化改性,用扫描电镜对空心微珠表面镀铁的微观形貌和成分进行了观察、测定,结果表明铁较均匀附着在微珠的表面.分别将改性前后的空心微珠制备成吸波材料,测试其吸波性能.测试结果表明,改性后的空心微珠具有较好的吸波性能.在8～18GHz扫频测试范围内,小于-10dB的频段范围在17.2～18GHz,最大吸收可达-11.27dB,对应的频率为18GHz.空心微珠的表面改性为其再利用找到有效的途径.

关键词: 空心微珠 , CVD法 , 铁涂层 , 吸波性能

流化床CVD法制备单壁碳纳米管:反应温度与时间的影响

张群峰 , 余皓 , 罗国华 , 骞伟中 , 魏飞

新型炭材料 doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2006.04.011

基于负载法Fe-MgO体系催化剂研究了化学气相沉积(CVD)法在流化床反应器中反应温度和时间对单壁碳纳米管(SWCNTs)生长的影响.通过气相色谱对尾气进行实时在线分析,获得了CH4在反应过程中的转化率随时间的变化规律.并对不同反应温度和反应时间所获产品进行了TEM、Raman和TGA等表征.结果表明,900℃是最佳的反应温度,反应温度过低会降低催化剂活性,反应温度过高则容易使催化剂过快失活.在合适的反应温度下,反应前10min催化剂的平均活性较高,能够得到较高质量的SWCNTs,10min后催化剂基本失活.

关键词: 单壁碳纳米管 , 流化床 , CVD法 , 反应时间 , 反应温度

ZnO纳米结构的CVD制备工艺及其应用

孟华 , 梁建 , 赵君芙 , 赵国英

材料导报

纳米结构的ZnO由于具有优异的光、电、磁、声等性能,已经成为光电、化学、催化、压电等领域中聚焦的研究热点之一.不同纳米结构的ZnO其制备方法不同,着重概述了采用化学气相沉积(CVD)工艺制备ZnO纳米材料,包括直接热分解、高温加热锌粉、碳热还原法以及金属有机气相沉积(MOCVD)4种方法,重点讨论了不同锌源和氧源对ZnO纳米结构的影响规律,并初步探讨了ZnO的VLS与VS生长机理,同时展望了ZnO在各领域中的最新应用.

关键词: ZnO纳米结构 , CVD法 , 生成机理 , 应用

ZnO纳米结构的CVD制备工艺及其应用

孟华 , 梁建 , 赵君芙 , 赵国英

材料导报

纳米结构的ZnO由于具有优异的光、电、磁、声等性能,已经成为光电、化学、催化、压电等领域中聚焦的研究热点之一.不同纳米结构的ZnO其制备方法不同,着重概述了采用化学气相沉积(CVD)工艺制备ZnO纳米材料,包括直接热分解、高温加热锌粉、碳热还原法以及金属有机气相沉积(MOCVD)4种方法,重点讨论了不同锌源和氧源对ZnO纳米结构的影响规律,并初步探讨了ZnO的VLS与VS生长机理,同时展望了ZnO在各领域中的最新应用.

关键词: ZnO纳米结构 , CVD法 , 生成机理 , 应用

一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展?

贾若飞 , 杨丽丽 , 杨丰 , 王飞 , 杨慧 , 李岚

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.11.007

一维GaN纳米材料相对于薄膜材料在光电器件应用方面具有诸多优势，本文主要论述一维 GaN 纳米材料的主要制备方法及其光电器件应用的研究进展。首先分别介绍采用 MOCVD、MBE、CVD 及模板法制备一维GaN纳米材料，重点论述GaN纳米材料的结构与形貌调控。其次介绍一维 GaN 纳米材料分别应用于主要光电器件包括LED、太阳能电池、激光器及光探测器的研究动态，讨论纳米材料性能、结构以及制备技术对其器件性能的影响。最后对一维GaN纳米材料的发展与应用前景进行展望。

关键词: GaN , 纳米线 , CVD法 , LED , 光探测器