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铜铟镓硒薄膜的真空制备工艺及靶材研究现状

张冷 , 张维佳 , 宋登元 , 张辉 , 张雷 , 马强 , 刘嘉 , 吴然嵩 , 马晓波

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.14.003

阐述了两种真空法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的工艺原理和工艺过程,比较和分析了两工艺的优缺点;介绍了溅射靶材的熔融铸造法和粉末冶金法,列举了靶材制备中所需的温度、压强、保温时间等参数.最后分析认为,用均匀细小的黄铜矿相CIGS粉末压制烧结成四元靶材,经溅射成膜后退火处理,可制备出优异的CIGS薄膜,具有更广阔的应用前景.

关键词: CIGS , 真空 , 薄膜 , 溅射靶

衬底温度对共蒸法制备CIGS薄膜结构和形貌的影响

杨伟锋 , 孙永健 , 郭射宇

材料科学与工程学报

采用一步共蒸法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜,研究讨论不同衬底温度条件对制得薄膜结构和形貌的影响.薄膜的结构和形貌分别利用X射线衍射(XRD)与扫描电子显微镜(SEM)进行检测.结果表明,衬底温度对CIGS薄膜的生长有很大的影响,当温度为250℃时,开始有CIGS晶相生成;随着温度的升高晶体颗粒逐渐增大;当温度达到450℃时,生成了结晶度较好(112)择优取向的CuIn0.7Ga0.3Se2相,制得的CIGS薄膜初步达到制备CIGS电池的条件.

关键词: CIGS , 一步法 , 薄膜太阳电池 , 衬底温度

液相辅助热压烧结制备Cu(In,Ga)Se2靶材的研究

黄耀芹 , 郑国源 , 莫淑一 , 何丽秋 , 王东生 , 龙飞

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160186

采用CuIn0.7Ga0.aSe2、In0.7Ga0.3Se和CuSe为原料,一步热压烧结法制备CIGS靶材.通过阿基米德法、XRD、Raman、SEM和EDS等测试方法研究了CuSe液相辅助烧结对靶材的相对密度、物相组成、结构、形貌以及成份的影响.结果表明,加入CuSe在高温下产生液相能显著促进烧结,比不加入CuSe的体系的烧结温度下降了50℃.当烧结温度为575℃时,获得的靶材相对密度为96.18%,物相单一纯净,微观结构致密,晶粒发育良好.以摩尔比为Cu∶In∶Ga∶Se=23.0∶18.2∶6.5∶52.3的靶材,通过溅射-热处理法制备CIGS薄膜,并完成AZO/ZnO/CdS/CIGS/Mo单电池的组装(0.25 cm2),获得了9.6%的光电转换效率.

关键词: CIGS , 热压烧结 , 靶材 , 转换效率

溅射气压对磁控溅射Mo背电极层形貌与结构的影响

宋斌斌 , 于涛 , 张传升 , 李博研 , 李新连 , 郭凯 , 左宁 , 赵树利 , 陈颉

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.008

采用直流磁控溅射法在溅射气压为0.1~1.0Pa下制备了金属Mo膜.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层Mo膜的表面、断面形貌和粗糙度进行了分析与表征;用X射线衍射(XRD)研究了气压对Mo膜晶粒尺寸和薄膜应力应变的影响;用SEM观察了双层和三层Mo背电极层的表面形貌.结果表明,溅射气压升高,表面颗粒由细长变得圆润,均方根粗糙度升高,其值介于1.32~4.81 nm之间;Mo膜的晶粒尺寸随气压的升高而降低,其值介于27.2~11.7 nm之间;溅射气压为0.2 Pa和0.3 Pa时制备的Mo膜显现为张应力;将双层Mo背电极表面制备0.7 Pa的Mo层后,表面更加圆润,孔隙增多.

关键词: 磁控溅射 , CIGS , Mo背电极 , 溅射气压 , 形貌结构

电沉积CIGS薄膜太阳电池的研究进展及现状

李玉华 , 马爱斌 , 张开骁 , 江静华 , 吴浩铭 , 宋丹 , 何青

材料导报

CIGS薄膜太阳电池以其优异的光电性能倍受研究者关注.简要介绍了CIGS薄膜的结构及其优异性能,着重阐述了电化学沉积法制备CIGS薄膜的反应原理与目前国内外电沉积法制备CIGS薄膜太阳电池研究的最新进展,并展望了CIGS太阳电池发展所面临的难题及将来研究的方向.

关键词: 电沉积 , CIGS , 太阳电池

CIGS薄膜太阳能光伏产业发展现状

鲁飞 , 刘小鱼 , 孙良成 , 王峰 , 刘树峰 , 李慧

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.19.012

Cu(In,Ga) Se2 (CIGS)薄膜太阳能电池以其柔性、低成本、发电性能稳定等优势成为硅基光伏电池的最佳替代品.概述了CIGS薄膜电池特性,列举了国内外产业发展状况.同时对CIGS薄膜电池产业化存在的问题和未来研发方向做了简要的总结和预测.

关键词: CIGS , 薄膜电池 , 产业化

金属预置层后硒化法制备CIGS薄膜的研究进展

王影 , 周爱军 , 戴新义 , 冯利东 , 徐晓辉 , 杜敬芳 , 李晶泽

稀有金属材料与工程

系统综述了国内外采用金属预置层后硒化法制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究进展,重点从预置层制备过程中靶材的选择、叠层方式以及后硒化过程中硒源种类和硒化方式的选择等几个方面对各种工艺的优点、存在的问题和可能的解决方案进行讨论,并对金属预置层后硒化法的发展前景和趋势进行了展望.

关键词: 金属预置层 , 硒化 , CIGS , 薄膜太阳电池 , 光吸收层

氮气流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响

韩东麟 , 张弓 , 庄大明 , 沙晟春 , 元金石

功能材料

采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜.以N2为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了N2流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响.采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构.结果表明,在不同的N2流量下制备的CIGS薄膜,均具有单一的黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向.当Ar流量为0.40m3/h时,薄膜表面结构致密,晶粒大小均匀,并且Cu、In、Ga原子含量,处于制备弱p型CIGS薄膜的理想范围.

关键词: 太阳能电池 , CIGS , 磁控溅射 , 薄膜 , 硒化

铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的研究进展

王波 , 刘平 , 李伟 , 马凤仓 , 刘新宽 , 陈小红

材料导报

综述了CIGS薄膜太阳能电池近年来的研究进展.概述了CIGS薄膜的组织结构、性能特性及其之间的联系;介绍了CIGS薄膜吸收层的多种制备方法,如多元共蒸发法、溅射后硒化法、电沉积法、喷涂高温分解法等;概述了Na掺杂对CIGS电池性能的促进作用及其机理;总结了柔性衬底CIGS薄膜太阳能电池的研究情况;最后从理论和实验研究方面展望了CIGS薄膜太阳能电池的研究方向.

关键词: 太阳能电池 , CIGS , Na掺杂 , 柔性衬底

OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进

薛玉明 , 孙云 , 朴英美 , 李长健

功能材料

通过实验制备得到OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuIn0.7Ga0.3Se2、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值△Ec、△Ev.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.

关键词: 异质结 , 能带边失调值 , CIGS , OVC

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