伍春燕
,
陈易明
,
钟韶
,
张海燕
,
何艳阳
,
朱燕娟
,
梁远博
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.03.016
将Sn粉末和C60粉末共同蒸发获得碱土族金属掺杂的C60薄膜样品,与未掺杂的纯C60样品一起进行扫描电镜、紫外可见吸收光谱和电阻随温度变化特性的测量,分析比较掺杂对薄膜样品的组成、结构和性质的影响.结果显示,掺锡后组成薄膜的纳米颗粒略有增大并突出表面,使薄膜的电子发射阈值降低;掺入的Sn原子在禁带中形成杂质能级,使电子吸收跃迁由原来的直接跃迁变为间接跃迁,导电性也由原来的绝缘体变为N型半导体.
关键词:
掺杂
,
电子吸收跃迁
,
导电性
,
C60薄膜
金运范
,
杨茹
,
王衍斌
,
刘昌龙
,
刘杰
,
侯明东
,
姚江宏
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.03.003
用Raman散射和XPS技术分析了能量为几百keV到几百MeV的多种离子在C60薄膜中引起的辐照效应. 分析结果表明,在低能重离子辐照的C60薄膜中,其晶态向非晶态的转变过程是由核碰撞主导的. 在快离子(120 keV的H离子和171.2 MeV的S离子)辐照的情况下,电子能损起主导作用. 发现在H离子辐照过程中,电子能损有明显的退火效应,致使C60由晶态向非晶态转变的过程中,经历了一个石墨化的中间过程;而在S离子辐照的情况下,电子能损的破坏作用超过了退火效应,因此,在C60由晶态向非晶态转变的过程中,无石墨化的中间过程.
关键词:
辐照效应
,
C60薄膜
,
荷能离子
,
退火效应
姚存峰
,
金运范
,
宋银
,
王志光
,
刘杰
,
孙友梅
,
张崇宏
,
段敬来
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2007.04.013
利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0.98 GeV的Fe离子在电子能损Se为3.5keV/nm时,不同辐照剂量(5×10(10)-8×10(13)ions/cm2)下,在C60薄膜中引起的辐照损伤效应.分析表明,Fe离子辐照引起了C60分子的聚合与损伤.在辐照剂量达到一中间值1×10(12)ions/cm2,C60分子的损伤得到部分恢复,归因于电子激发引起的退火效应.通过对Raman数据的拟合分析,演绎出Fe离子辐照在C60材料中形成的潜径迹截面或引起损伤的截面约为1.32×10(-14)cm2.
关键词:
C60薄膜
,
辐照效应
,
GeV能量的离子
,
退火效应
,
聚合
付云翀
,
姚存峰
,
金运范
原子核物理评论
为了研究低速高电荷态离子在C60薄膜中引起的势效应,用能量为200 keV的高电荷态Xen+(n=3,10,13,15,17,20,22,23)离子辐照了C60薄膜.用原子力显微镜(AFM)和Raman散射技术分析了辐照过程中高电荷态Xen+离子所储存势能在C60薄膜中引起的效应,即势效应.AFM分析结果表明,辐照C60薄膜的表面粗糙度随辐照Xen+离子电荷态(即势能)的增加而减小,揭示了势效应的存在.而Raman分析结果表明,由于Xe离子的动能远大于其所储存的势能,因此,尽管有表面势效应的影响,但在Raman分析的深度范围内,弹性碰撞还是主导了C60薄膜的损伤过程.
关键词:
低速高电荷态离子
,
C60薄膜
,
势效应
