张菲
,
朱俊
,
罗文博
,
郝兰众
,
李言荣
功能材料
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb(Zr0.52T0.48) O3 (PZT)铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构(MFIS).XRD扫描结果表明,通过MgO缓冲层对界面结构的优化,实现了PZT薄膜沿(111)面择优取向生长.电流-电压(I-V )测试结果显示,MgO缓冲层的引入大大改善了集成体系的电学性能.在外加电压为-8V时,与无MgO缓冲层的MFS异质体系相比较,该MFIS结构的漏电流密度降低了5个数量级.集成体系的电容-电压(C-V)表现出逆时针窗口特征,反映了铁电极化对二维电子气(2DEG)的调制作用.随着缓冲层厚度的降低,铁电极化对2DEG的调制作用逐渐增强.当MgO缓冲层厚度达到2nm时,C-V窗口达到0.7V,阈值电压(Vth)降低到-1.7V,阈值电压(Vth)降低到-1.7V.
关键词:
脉冲激光沉积
,
PZT
,
MgO
,
C-V
,
I-V
白旭旭
,
介万奇
,
查钢强
,
王涛
,
傅莉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.018
在CdZnTe表面采用真空蒸镀制备了Au和Al电极,研究了在N2氛围退火对Al/CdZnTe接触特性的影响.退火温度在100℃到300℃之间变化,退火时间为5 min.采用Agilent4155c半导体测试仪测试了样品在不同温度退火后的I-V特性.采用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪测试了样品在不同温度退火后的C-V特性.I-V和C-V曲线表明,低温退火会使接触势垒高度增加,理想因子趋近于1,电容值下降为退火前的一半左右.当退火温度高于250℃时,接触势垒高度下降,理想因子偏离1,电容值下降近一个数量级.
关键词:
肖特基
,
Al/CdZnTe
,
I-V
,
C-V
黎传礼
,
俞跃辉
,
陈猛
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.021
通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及埋氧层的质量参数.传统的MOS电容结构测试电学特性应用到SOI圆片是有其局限性的,在本实验中直接利用SOI圆片的SIS(Silicon-Insulator-Silicon)结构,将SOI圆片的无损电学表征方法应用到实际的表征当中去.实验采用自行制备的低剂量超薄SIMOXSOI圆片,得到了比较可靠的实验结果.
关键词:
SIMOXSOI
,
电学表征
,
C-V
,
I-V
,
SIS结构
,
MOS结构
刘金娥
,
廖燕平
,
齐小薇
,
高文涛
,
荆海
,
付国柱
,
李世伟
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.014
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的.针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试.制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入.设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8 pF.运用7PEP生产工艺,制作了13 cm(5.2 in)的TFT阵列样品.对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10 μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341 cd/m2.
关键词:
OLED
,
阈值电压漂移
,
N/Si
,
C-V
,
2-a-Si:HTFT
李伟彬
,
孙明轩
,
李芳
,
何佳
,
张强
,
石玉莹
腐蚀与防护
doi:10.11973/fsyfh-201510006
以三氧化钼和硫氰酸铵为起始原料,采用温和的水热法制备了MoS2纳米花.考察了反应温度(160～200℃)和反应时间(12～48 h)对MoS2纳米花电极化学性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和N2吸附-脱附曲线(BET)对样品的晶型、形貌、组分和比表面积进行了表征.结果表明,所制备的样品呈现出了花瓣状的片层结构,并有序堆垛成花状纳米球,且具有较大的比表面积(23.13m2·g-1).循环伏安测试表明,MoS2电极的催化活性优于铂电极.光电化学性能测试表明,基于MoS2对电极的染料敏化太阳能电池(DSSCs)的光电转换效率(2.44％)高于铂电极(2.33％),有望在染料敏化太阳能电池(DSSCs)电极材料方面得到应用.
关键词:
二硫化钼纳米花
,
水热法
,
电化学
,
循环伏安
,
光电转化
