冯建情
,
王庆阳
,
熊晓梅
,
陈思华
,
白质明
,
杨芳
,
刘国庆
,
焦高峰
,
闫果
,
李成山
低温物理学报
研究了不同芯数（单芯、6芯和12芯）的C掺杂MgB2超导线材的失超特性．在制冷机环境（20K）下测量了C掺杂MgB2超导线材样品在自场下的最小触发能及失超传播速度．实验结果表明，失超传播速度随着工作电流的增大而线性增加．失超传播速度的大小跟测量位置有关，离触发区越近的传播速度越大．单芯样品的最小触发能最小，6芯和12芯线的最小触发能相差不大．最小触发能随工作电流的增加成指数形式衰减．
关键词:
C掺杂
,
MgB2超导线材
,
最小触发能
,
失超传播速度
刘光清
,
王六定
,
王益军
,
杨敏
人工晶体学报
本文运用第一性原理研究了(9,0)型闭口硼氮纳米管及其两种C掺杂体系的场发射性能.对三种纳米管体系的态密度、局域态密度、赝能隙、最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙和Mulliken电荷的分析结果表明,C替代顶层六元环中硼与氮原子的场发射性能分别最优和最差.由此可见,C掺杂改善硼氮纳米管场发射性能的关键在于被置换原子的种类.
关键词:
C掺杂
,
硼氮纳米管
,
场发射
,
第一性原理
王彦峰
,
李争显
,
华云峰
,
王宝云
,
杜继红
表面技术
采用电弧离子镀与磁控溅射联合沉积技术,以不同的C掺杂方式在高速钢基体表面制备了C/TiAlSiN多元复合硬质膜层,对膜层的成分、组织结构、显微硬度及摩擦磨损性能进行了表征,并与相同条件下制备的未掺杂TiAlSiN膜进行了对比.结果表明,不同的掺杂方式使得膜层的组织与性能不同,在TiAlSiN硬质膜层的制备过程中实施C掺杂,能够显著优化该膜层体系的组织结构及显微硬度,并大大改善其摩擦磨损性能.
关键词:
C掺杂
,
TiAlSiN硬质膜层
,
显微组织
,
摩擦性能
向鑫
,
陈长安
,
刘柯钊
,
罗丽珠
,
刘婷婷
,
王小英
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2009.00590
用离子注入技术实现了Al表面C元素的掺杂,并利用XPS,XRD,TEM和SEM研究了C掺杂对Al中离子注入He行为的影响.结果表明,掺杂的C在Al表面形成了Al_4C_3,随着C掺杂量的增加,Al表面组织的择优取向和晶胞体积发生改变,从而影响了Al中的He离子注入行为,预先掺杂的C对He离子注入Al表面的鼓泡行为有重要影响,其影响程度与掺杂剂量有关,小剂量C掺杂后,能有效抑制鼓泡的长大,并使Al表面鼓泡均匀分布;更高剂量C掺杂后,C对表面鼓泡的抑制作用减弱,甚至加剧He离子的辐照损伤,Al表面出现孔洞和剥落现象,掺杂的C对Al基体的微观结构也有很大影响,
关键词:
Al
,
C掺杂
,
He行为
,
鼓泡
,
微观结构
赵鹏
,
李忠
,
崔晓莉
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140576
通过阳极氧化方法制备了TiO2纳米管薄膜,在NaHCO3存在下对该薄膜进行热处理得到碳掺杂TiO2(C-TiO2)纳米管薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱、电化学阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky等方法对得到的薄膜进行表征.XRD结果表明C-TiO2纳米管薄膜中的TiO2主要为锐钛矿晶型;SEM结果显示薄膜存在纳米管结构;XPS分析表明C-TiO2纳米管薄膜中的C以替代型掺杂形式进入到TiO2晶格中;光电化学性能测试显示,相对于TiO2纳米薄膜,C-TiO2阻抗减小,平带电位由-0.28 V负移至-0.38 V,具有更好的紫外-可见光和可见光响应,紫外-可见光下的光电流是未掺杂的1.7倍.利用阳极氧化的Ti丝作为光阳极和Pt丝作为对电极组装了染料敏化太阳能电池并进行了性能测试,结果表明,经过碳掺杂的Ti/TiO2丝为光阳极电池的短路电流密度和电池效率分别达到0.17 mA/cm2和3.8％,较未掺杂的Ti/TiO2丝为光阳极的电池的短路电流密度和电池效率均增大,表明适量的碳掺杂有利于提高电池效率.
关键词:
TiO2
,
阳极氧化
,
C掺杂
,
光电化学
韩宁
,
马春伟
,
侯雪玲
,
徐培全
,
贾涵浩
,
薛允
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.08.024
通过熔体快淬方法制备了LaFe11.5Si1.Cx(x=0,0.1,0.2,0.3)系合金的快淬条带.采用X射线衍射分析仪、振动样品磁强计研究了C掺杂对La-Fe-Si合金在凝固过程以及随后热处理过程中的NaZn13型相形成及磁热性能的影响.结果表明:适量的C掺杂有利于凝固过程中NaZn13立方结构型的La(Fe,Si)13相的形成;C掺杂能有效地提高La(Fe,Si)13相的居里温度,当C含量由0增加到0.3时,合金的居里温度由210 K升高到262K.合金居里温度的升高是由于掺杂的C原子占据了La(Fe,Si)13相中的间隙位置,使La(Fe,Si)13相晶格膨胀,Fe-Fe原子间铁磁交互作用增强.当C掺杂含量为0.2时,La-Fe-Si-C合金在1273K热处理2h时获得了最佳综合磁热性能,其居里温度(Tc)为255 K,最大等温磁熵变(ASM)为9.45 J/(kg·K)(1.5 T).
关键词:
C掺杂
,
LaFe11.5Si1.5Cx合金
,
熔体快淬
,
磁热性能
刘国庆
,
熊晓梅
,
王庆阳
,
闫果
,
刘春芳
,
卢亚锋
,
杨烨
,
蒲明华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
采用固态反应法制备了纯MgB2和C掺杂MgB2超导体.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和物性测试仪(PPMS)研究了纯MgB2超导块材和C掺杂的MgB2超导块材的水解行为对微观结构和超导电性的影响.结果表明,纯MgB2和C掺杂的MgB2超导体与水之间存在明显的化学反应.C掺杂部分进入MgB2的晶格中,其余部分以第二相粒子形式存在于晶界处,使得首先发生于晶界的水解反应受到抑制,从而提高了MgB2超导体的水解稳定性,减缓了水解反应速度.
关键词:
MgB2超导体
,
C掺杂
,
水解
向鑫陈长安刘柯钊罗丽珠刘婷婷王小英
金属学报
doi:DOI:10.3724/SP.J.1037.2009.00590
用离子注入技术实现了Al表面C元素的掺杂, 并利用XPS, XRD, TEM和SEM研究了C掺杂对Al中离子
注入He行为的影响. 结果表明, 掺杂的C在Al表面形成了Al4C3, 随着C掺杂量的增加, Al表面组织的择优取向
和晶胞体积发生改变, 从而影响了Al中的He离子注入行为. 预先掺杂的C对He离子注入Al表面的鼓泡行为有重
要影响, 其影响程度与掺杂剂量有关. 小剂量C掺杂后, 能有效抑制鼓泡的长大, 并使Al表面鼓泡均匀分布; 更高
剂量C掺杂后, C对表面鼓泡的抑制作用减弱, 甚至加剧He离子的辐照损伤, Al表面出现孔洞和剥落现象. 掺杂的
C对Al基体的微观结构也有很大影响.
关键词:
Al
,
C doping
,
He behavior
,
blistering
,
microstructure
