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BiNbO4的光催化性能研究

邢精成 , 卞建江 , 王小军 , 黄富强 , 赵景泰

功能材料

光催化剂BiNbO4采用传统固相反应分别在900和1300℃下进行制备.通过XRD粉末衍射和UV-vis吸收光谱分析,表征了样品的物相和光谱吸收特性.通过对样品的测试分析表明,低温样品为正交相,高温样品为三斜相,正交相的禁带宽度(3.4eV)比三斜相(3.0eV)更宽.以降解甲基橙来评价BiNbO4的光催化活性,对比试验表明低温正交相BiNbO4的光催化活性远高于高温三斜相,这是由于它们晶体结构不同造成的.对正交相BiNbO4的光催化性能进行了深入的研究,实验发现催化剂浓度和溶液pH值对光催化剂的活性影响很大.通过第一原理的计算,讨论了BiNbO4的电子结构和光催化反应的关系.

关键词: BiNbO4 , 光催化 , 甲基橙 , 能带结构

低温烧结微波介质陶瓷BiNbO4的研究进展

李光耀 , 王春娟 , 谢述峰 , 刘向春 , 田长生

材料导报

综述了低温烧结微波介质陶瓷BiNbO4的近期研究进展,总结了在BiNbO4陶瓷的研究中所采用的3种基本方法:氧化物掺杂、离子置换以及与其它微波介质材料复合,归纳了不同氧化物掺杂、不同离子置换对陶瓷影响的异同点,以及表现出来的共同规律.

关键词: BiNbO4 , 氧化物掺杂 , 离子置换 , 复合化研究

合成工艺对BiNbO₄微波介质陶瓷的影响

姚尧 , 赵梅瑜 , 吴文骏 , 王依琳

无机材料学报

本文研究了BiNbO₄粉料合成温度及烧结助剂CuO-V₂O₅添加程序对BiNbO4陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响．结果表明：合成温度为850℃／2h及合成后加入烧结助剂CuO-V₂O₅的BiNbO₄陶瓷有高的密度值、较为均匀的晶粒尺寸及良好的介电性能：在100MHz，ε_r＝49～52，在3GHz，ε_r＝44，Q＝2000～2300，τ_r＝38ppm（-40～25℃）；τ_r＝±6ppm（25～85℃）．

关键词: BiNbO₄ , synthesizing process , microwave dielectric properties

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