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硅基Bi4Ti3O12薄膜的C-V特性研究

付承菊 , 郭冬云 , 黄志雄

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.021

Bi4 Ti3O12是典型的层状钙钛矿结构铁电材料,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件.本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4 Ti3O12铁电薄膜,并且对其性能进行了研究.测量不同退火温度下得到的Ag/BTO/p-Si结构的C-V曲线,结果表明Bi4 Ti3O12薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.

关键词: Bi4 Ti3O12 , 铁电薄膜 , Sol-Gel法 , C-V特性