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膜厚对N型Bi2Te2.85Se0.15薄膜热电性能的影响

段兴凯 , 江跃珍

材料科学与工程学报

采用瞬间蒸发技术沉积了N型Bi2 Te2.85 Se015热电薄膜,沉积的薄膜厚度在50~400nm范围之间,并在473K进行1小时的真空退火处理.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征.XRD分析结果显示,薄膜的主要衍射峰与Bi2 Te3和Bi2 Se3的标准衍射峰一致,沉积薄膜的最强衍射峰为(015),退火后,薄膜的最强衍射峰是(006).采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用.四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征.测试结果表明,薄膜为N型传导特性.并考察了薄膜厚度对电阻率及Seebeck系数的影响.

关键词: Bi2Te2.85Se0.15 , 薄膜厚度 , 电阻率 , Seebeck系数 , 瞬间蒸发法

AgI掺杂量对n型Bi2Te2.85Se0.15材料热电性能的影响

余明星 , 杨君友

金属功能材料

采用机械合金化(MA)结合热压烧结(HP)技术制备了n型Bi2 Te2.85Se0.15热电材料,在常温下测量了电阻率(ρ)、塞贝克系数(α)和热导率(κ)等热电性能参数,考察了掺杂剂AgI的含量(质量百分比分别为0,0.1,0.2,0.3和0.4%)对材料热电性能的影响.结果表明:试样的电阻率和塞贝克系数的绝对值均随AgI掺杂量的提高而增大,热导率则随AgI掺杂量的提高而大幅降低,在AgI掺杂量为0.2%(质量)时有最大热电优值,为2.0×10-3/K.

关键词: Bi2Te2.85Se0.15 , 掺杂 , 热电性能

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