高旭芳
,
丘泰
中国有色金属学报
采用传统固相反应法制备Ba6-3x(La1-mBim)8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)微波介质陶瓷,研究Bi掺杂对Ba6-3xLa8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)陶瓷的烧结性能、微观结构以及介电性能的影响.结果表明:当0＜m＜0.4时,Bi3+取代A1位的La3+生成单相类钨青铜型固溶体;当Bi3+的掺杂量超过这个范围时,La0.176Bi0.824O1.5作为第二相出现在固溶体中;Bi3+的掺入使Ba6-3xLa8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)陶瓷的烧结温度从1 400 ℃降低到1 300 ℃,同时,其介电常数大幅度提高,谐振频率温度系数减小,但品质因数急剧减小;当m=0.05时,1 350 ℃下保温2 h烧结获得的陶瓷具有微波介电性能,εr=88.63,Q·f=4 395 GHz,τf=6.25×10-6/℃.
关键词:
介电性能
,
Bi掺杂
,
微波介质陶瓷
,
类钨青铜结构
华丽
,
郭兴蓬
,
杨家宽
中国有色金属学报
采用动电位扫描和交流阻抗等方法研究Bi掺杂对Sn-3.0Ag-0.5Cu钎料在3.5％ NaCl(质量分数)溶液中电化学腐蚀性能及枝晶生长的影响；采用SEM和XRD技术分析其腐蚀形貌及成分.结果显示:随着Bi含量增加,腐蚀电流密度增大,但自腐蚀电位不呈规律性变化.阻抗谱显示:掺杂前后阻抗谱特征相同,均可用两个时间常数的等效电路模型表示,其拟合误差＜5％.随着Bi含量的增加,容抗弧半径减小,电荷传递电阻和腐蚀产物膜电阻均减小,耐蚀性能降低.SEM像显示,Bi掺杂对钎料在介质中电化学迁移速度有减缓作用,因而对迁移所致的枝晶生长具有抑制作用.XRD谱显示,枝晶主要成分为Sn和Cu6Sn5,同时伴有少量的Bi和Ag3Sn.
关键词:
Sn-3.0Ag-0.5Cu钎料
,
Bi掺杂
,
腐蚀行为
,
枝晶生长
,
抑制作用
夏慧莹
,
伊文涛
,
谢娟
,
郝勇静
,
李攀
黄金
doi:10.11792/hj20140703
以钛酸四丁酯和五水合硝酸铋为原料，采用溶胶-水热法制备了Bi掺杂TiO2颗粒；以硝酸银为银源，通过表面沉积法实现了金属Ag对Bi掺杂TiO2的表面修饰。应用X射线粉末衍射仪（ XRD）和傅里叶变换红外光谱仪（ FT-IR）对产品进行了表征。以甲基橙为目标降解物，考察了所制Ag/Bi-TiO2样品的降解效果，并详细探讨了Bi掺杂量与Ag沉积量对光催化性能的影响；实验结果表明，3％Ag/10％Bi-TiO2的光催化活性最高，100 min内甲基橙的降解率可达75．6％。
关键词:
TiO2
,
Bi掺杂
,
Ag
,
光催化
,
甲基橙
黄宝歆
,
刘宜华
,
原晓波
,
王成建
,
陈卫平
,
张汝贞
,
梅良模
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.006
将Bi2O3掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0 67Sr033MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果证实有过量的Bi析出.随着Bi掺杂量的增加,LSMO/(Bi2O3)x/2材料电阻率发生明显变化,在x=(0-0.10)摩尔比的掺杂范围内,电阻率先上升后突然下降.当x=0.1时,电阻率比未掺杂样品下降了一个数量级.Bi掺杂对低温和室温磁电阻有着完全不同的影响.低温下,随掺杂量增加,磁电阻下降;室温下Bi的微量掺杂可以使磁电阻增大,掺入x=0.03 Bi使室温磁电阻由-4.4%提高到-5.6%.
关键词:
Bi掺杂
,
La0.67Sr0.33MnO3磁电阻效应
,
自旋相关散射
,
自旋相关隧穿
赵利敏
,
朱涛
人工晶体学报
采用固态反应法制备Ca3-xBixCo4O9 (0.0≤x≤0.45)样品,并研究了Bi掺杂对样品的微观结构和热电性能的影响.XRD与SEM结果显示,在含Bi样品中形成了c轴取向的结构,x=0.3和x=0.45样品具有大的晶粒取向度和晶粒尺寸,这就导致了这两个样品具有较高的电导率.由于Bi3+替代Ca2+降低了载流子浓度,样品的塞贝克系数随Bi含量的增加而增加.在1000 K,x=0.3样品的功率因子可达2.77×10-4 W/m·K2,这一数值与利用热压法制备的Ca3Co4O9样品的功率因子相当.
关键词:
Ca3Co4O9
,
Bi掺杂
,
微观结构
,
热电性能
崔华楠
,
石建英
,
刘鸿
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(15)60858-0
分别采用NaBiO3和Bi(NO3)3为Bi源制备了Bi掺杂NaTaO3光催化剂，研究了Bi离子的价态对NaTaO3光催化分解水制氢性能的影响.采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见吸收光谱研究了催化剂的晶体结构、Bi离子的化学状态和催化剂的光学吸收性能.以光催化分解水制氢反应研究了Bi离子掺杂NaTaO3的催化性能. XRD结果表明，对于两个不同Bi源掺杂的NaTaO3样品， Bi离子的掺杂没有改变催化剂的单斜相结构，但拉曼光谱证实Bi离子的掺杂致使Ta–O–Ta键角偏离了180o. XPS结果表明，以Bi(NO3)3为Bi源时， Bi离子以Bi3+掺杂于NaTaO3的A位；当以NaBiO3为原料时， Bi3+和Bi5+共掺杂于NaTaO3的A位.两种不同Bi源掺杂得到的样品在紫外-可见吸收光谱中给出了相似的光学吸收，但Bi3+的掺杂对NaTaO3光催化性能影响不大，而Bi3+和Bi5+共掺杂大大提高了NaTaO3的光解水制氢性能. Bi离子取代Na离子在A位的掺杂，在NaTaO3结构中引入了能够促进载流子分离的空位和缺陷；与此同时， Bi的掺杂导致Ta–O–Ta键角偏离180o而不利于载流子迁移.对于Bi3+掺杂的NaTaO3样品，这两种作用相互抵消，使得其催化性能与NaTaO3相比没有变化；而Bi3+和Bi5+的共掺杂和高价态Bi5+的掺杂引入了更多的空位和缺陷，提高了光生电子-空穴的分离效率，从而提高了光催化产氢性能.研究表明，光催化过程中载流子的迁移是影响催化性能的重要因素，而在ABO3钙钛矿结构的A位引入高价态离子是促进光生载流子分离的有效途径.
关键词:
光催化剂
,
钽酸钠
,
Bi掺杂
,
化学价态
,
水分解
王冰心
,
徐家跃
,
金敏
,
何庆波
,
房永征
人工晶体学报
使用<511>取向GaAs籽晶,在直径2英寸的pBN坩埚中生长了2.5％Bi掺杂的GaAs晶体.能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存在,说明Bi原子已掺杂到GaAs晶体中.X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42".与未掺杂GaAs晶体相比,所得晶体的禁带宽度出现红移,从1.43 eV移至近1.39 eV.扫面式电子显微镜(SEM)显示晶体中存在少量富Bi包裹物,晶体质量有待进一步改进.
关键词:
坩埚下降法
,
晶体生长
,
砷化镓晶体
,
Bi掺杂
宋贵宏
,
孟雪
,
杨明川
,
胡方
,
乔瑞庆
,
陈立佳
人工晶体学报
利用粉末冷压成型及真空烧结制备了不同Bi掺杂量的Mg-Si-Sn-Bi材料,并对制备材料组成和热电性能进行研究.结果表明,制备材料由Mg2Sn、Mg2Si和Mg2(Si,Sn)固溶体相组成.随测试温度的增加,制备材料的电阻率都急剧减小,这是典型的半导体特征.在研究范围内,掺杂Bi元素含量增加,制备材料的电阻率开始逐渐减小,但Bi掺杂量增加到一定值后,材料的电阻率又增加,而且掺杂后的材料电阻率都低于未掺杂的.制备材料的Seebeck系数是负值,表明这些材料都为n型半导体.对于掺杂Bi的材料,随着测试温度由室温增加到730 K,测得的Seebeck系数绝对值开始时轻微增加,约在240～270 K达到最大值,再随着温度增加,Seebeck系数绝对值又显著单调减小.对于掺杂Bi元素的材料,随Bi掺杂量的增加,Seebeck系数的绝对值先减少后增加,这是掺杂造成载流子浓度增加和散射过程加大相互竞争的结果.掺杂Bi的Mg-Si-Sn材料的功率因子都高于未掺杂的材料,且Bi掺杂量增加,制备材料的功率因子显著增加.对于1.29at％ Bi和1.63at％ Bi掺杂量的材料,功率因子分别在500 K和530 K存在一个极大值.
关键词:
Mg-Si-Sn材料
,
Bi掺杂
,
Seebeck系数
,
电阻率
,
真空烧结
