杨青慧
,
张怀武
,
刘颖力
,
文岐业
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.02.015
对于用射频磁控溅射技术在Si基片上制备的Bi:YIG系薄膜,用快速循环退火方法对其进行晶化处理,研究了退火温度对Bi:YIG薄膜结晶状态和形貌的影响,以及退火气氛和循环周期对薄膜性能的影响.结果表明,用快速循环退火可以在si单晶基片上得到磁性能优良的薄膜(饱和磁化强度139 kA/m,矫顽力6.37 kA/m)并使薄膜形貌有较大改善,在石英基片上制备的薄膜法拉第角比常规退火的薄膜增大了约一倍.
关键词:
无机非金属材料
,
快速循环退火
,
Bi:YIG薄膜
,
饱和磁化强度
,
矫顽力
青慧
,
张怀武
,
刘颖力
,
文岐业
材料研究学报
对于用射频磁控溅射技术在Si基片上制备的Bi:YIG系薄膜,
用快速循环退火方法对其进行晶化处理,
研究了退火温度对Bi:YIG薄膜结晶状态和形貌的影响,
以及退火气氛和循环周期对薄膜性能的影响. 结果表明,
用快速循环退火可以在Si单晶基片上得到磁性能优良的薄膜
(饱和磁化强度139 kA/m, 矫顽力6.37 kA/m)并使薄膜形貌有较大改善,
在石英基片上制备的薄膜法拉第角比常规退火的薄膜增大了约一倍.
关键词:
无机非金属材料
,
null
,
null
