潘瑞琨
,
刘攀克
,
黎明锴
,
何云斌
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.001
采用脉冲激光沉积法(PLD),在掺铌的钛酸锶单晶基片(Nb∶SrTiO3,NSTO)上外延生长了15 nm厚度的BTO薄膜.并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术,分别测试了BTO薄膜的晶相结构和微观形貌与结构,证实了薄膜的外延生长特征.以磁控溅射法制备金属铂(Pt)上电极,在室温下测试了BTO薄膜的电流-电压(I-V)曲线.通过拟合I-V曲线,结果表明:在正向电压下,薄膜的漏电流符合空间电荷受限电流机制(SCLC);在反向电压下,漏电流先为普尔-弗伦克尔发射机制(Poole-Frenkel emission),随着反向电压的升高,转变为福勒-诺德海姆隧穿机制(Fowler-Nordheim tunneling).分析指出,在Pt/BTO界面存在一个可变的肖特基势垒,该势垒受到BTO薄膜内部迁移的氧空位影响,从而决定了上述漏电流机制.
关键词:
BaTiO3薄膜
,
结构
,
漏电流机制
,
肖特基势垒
陈磊
,
魏贤华
,
傅旭
中国有色金属学报
doi:10.1016/S1003-6326(11)61299-5
采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制备Er3+掺杂BaTiO3薄膜.通过XRD、AFM和PL图谱分别研究薄膜的晶体结构、形貌以及上转换发光性能.结果表明,薄膜的微观结构和发光性能与Er3+掺杂晶格的位置有关.A位掺杂薄膜较B位掺杂薄膜具有较小的晶格常数和较好的结晶.PL光谱表明:A位掺杂的薄膜和B位掺杂的薄膜都于528 nm和548nm处获得较强的绿色上转换发光以及在673 nm处获得较弱的红光,分别对应Er3+离子的2H11/2→4I15/2,4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2能级跃迁.相对于B位掺杂的薄膜,A位掺杂样品有较强的绿光发射积分强度以及较弱的红光发射相对强度.这种差异可以通过薄膜的结晶状况和交叉弛豫机制来进行解释.
关键词:
Er3+掺杂
,
BaTiO3薄膜
,
上转换发光
,
溶胶-凝胶法
沈良
,
宋世庚
,
贾锐
,
陶明德
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2000.03.006
以钛酸四丁酯和乙酸钡为主要原料,以乙二醇独甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法成功地配制出了BaTiO3溶胶,溶胶清晰稳定,保存时间长.并用XRD分析了沉积在Si(100)低阻硅片上的薄膜的结构,发现薄膜在600℃时结晶状态已良好.文中同时对薄膜的介电性质进行研究,并讨论了退火温度对薄膜介电性质的影响.
关键词:
BaTiO3薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
介电性质
沈良
,
曲风钦
,
宋世庚
功能材料
介绍了Y掺杂对BaTiO3系半导化薄膜PTCR特性的影响.实验发现,当Y掺杂浓度在0.1mol%～1.5mol%时,薄膜的室温电阻为10～50Ω,突变温区为1℃.在[Y3+]=0.7mol%时,薄膜的升阻比达106.实验结果表明:薄膜的转变温度、升阻比和室温电阻与Y掺杂浓度有关.
关键词:
BaTiO3薄膜
,
PTCR特性
,
掺杂浓度
