陆裕东
,
王歆
,
庄志强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00138
以可溶性无机盐为原料, EDTA 、柠檬酸、酒石酸为复合螯合剂, 水为溶剂, 采用改进的溶胶-凝胶法制备了无裂纹、晶粒尺寸小且均匀分布的钙钛矿结构的BaPbO3 导电薄膜. 利用XRD、SEM和EDS表征方法结合薄膜方阻的测定, 具体分析了Pb/Ba比和晶粒生长情况对BaPbO3 薄膜导电性能的影响. 实验结果表明: Pb/Ba比和晶粒生长情况是决定BaPbO3薄膜导电性的两个主要因素, Pb/Ba比的上升和晶粒的长大, 都会提高BaPbO3薄膜的导电性能; 热处理次数对BaPbO3 薄膜方阻的影响与薄膜厚度有关. 在700℃下保温10min的快速热处理方法, 可以获得钙钛矿结构、薄膜方阻为5.86 Ω﹒□-1 的BaPbO3 薄膜.
关键词:
BaPbO3
,
ceramic
,
thin film
,
sol-gel
,
sheet resistance
陆裕东
,
王歆
,
庄志强
,
刘保岭
,
刘勇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00811
采用高温平衡电导法测定了高温平衡电导率随氧分压(10-12~105Pa)的变化曲线, 由此确定了未掺杂和Al受主掺杂BaPbO3陶瓷多晶体中的主导缺陷及其电荷补偿缺陷. 同时讨论了受主掺杂浓度对材料的高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下主导缺陷转变点的影响, 确定了受主掺杂BaPbO3缺陷行为随掺杂量的变化机理. 在高氧分压下, 材料表现出本征缺陷行为, Pb离子空位占主导, 电荷补偿缺陷为空穴; 随着氧分压的下降, 材料由本征缺陷控制区域进入非本征缺陷控制区域, 受主杂质取代Pb离子空位占主导; 在低氧分压区域, 随着氧离子空位浓度的上升, 氧离子空位取代空穴, 成为受主杂质的电荷补偿缺陷.
关键词:
BaPbO3
,
defect chemistry
,
nonstoichiometry
,
acceptor
高锋
,
李凤华
,
王娜
,
卢亚峰
,
樊占国
功能材料
BaPbO3(BPO)具有优良的导电性,稳定的化学性质,其晶格常数a与2aYBCO相近,有望成为YBCO超导带材的导电隔离层.实验采用两种化学溶液沉积(CSD)法,以BaCO3、PbO为溶质, EDTA-Cit为螯合剂的方法(简称无机法)和以乙酸钡、乙酸铅为溶质,以丙酸为溶剂的方法(简称有机法)在单晶YSZ(100)、LAO(100)基底上通过旋转涂覆和热处理生长BPO薄膜.实验表明700℃的热处理是形成BPO相的适宜温度,低温段的保温和缓慢升温有利于形成连续均匀的BPO薄膜.经XRD分析,采用两种方法制取的薄膜均为单相的BPO.与BPO粉末的XRD相比,后一种方法制取的BPO薄膜在(100)和(200)衍射峰明显增强,表明其在单晶LAO基底上实现了一定程度的外延生长,但没有实现单晶生长.在扫描电子显微镜下观察,后一种方法制取的薄膜较前一方法均匀、致密.
关键词:
BaPbO3
,
CSD
,
YBCO
,
隔离层
,
超导
刘心宇
,
曾中明
,
万仁勇
,
成钧
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.02.021
采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO3导电陶瓷;用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究,从而确定了液相共沉淀法制取Ba1-xLaxPbO3的合成温度;同时讨论了稀土La对BaPbO3粉末合成过程及其电性能的影响.结果表明:采用液相共沉淀法能明显降低Ba1-xLaxPbO3粉末的合成温度,提高粉体的合成率,其合成温度大约在650℃左右;添加稀土La对BaPbO3的电阻率的影响呈W形状变化,当x=0.1时Ba1-xLaxPbO3的焙烧温度、形貌、电阻率均达到最佳.
关键词:
稀土
,
BaPbO3
,
导电陶瓷
,
液相共沉淀法
陆裕东
,
王歆
,
庄志强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.05.010
采用Ba(OH)2·8H2O, Pb(CH3COO)2·3H2O和KOH为原料, 柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂, 采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷, 讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明: 采用Sol-Gel法获得了均一相、化学计量比的K掺杂BPO陶瓷;K-BPO陶瓷的室温电阻率随K掺杂量呈倒"S"形状变化, 当掺杂量为3%～5%(摩尔分数)时室温电阻率最低, 约为4.5×10-4 Ω·cm;另外, 与BaTiO3系PTC陶瓷不同, PBO陶瓷引入受主杂质K后, 不但可以降低材料的室温电阻率, 而且可以使材料呈现出一定的PTC效应.
关键词:
BaPbO3
,
导电陶瓷
,
受主掺杂
,
电导率
,
阻温特性
,
Sol-Gel
陆裕东
,
王歆
,
庄志强
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.018
以可溶性无机盐为原料,柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂,采用sol-gel工艺制备了Sb掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷,讨论了不同的Sb施主掺杂浓度对BPO陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明:采用sol-gel法获得了均一相、化学计量比的Sb掺杂BPO陶瓷;当施主掺杂量≤1 mol%,Sb-BPO陶瓷的室温电阻率随Sb掺杂量的增加而升高,当施主掺杂量≥1mol%,室温电阻率随Sb掺杂量呈"U"形变化,掺杂量为12 mol%～13 mol%时室温电阻率最低,约为2.69×10-4 Ω·cm;BPO陶瓷引入施主杂质Sb后,不但可以降低材料的室温电阻率,而且可以使材料呈现出高温PTC效应,当掺杂量为5 mol%时,材料的升阻比最高,其居里温度Tc约为850 ℃.
关键词:
BaPbO3
,
sol-gel
,
陶瓷
,
施主掺杂
,
电阻率
,
PTCR
刘心宇
,
曾中明
,
万仁勇
,
成钧
稀有金属材料与工程
采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO3导电陶瓷;用XRD及SEM对粉末的结构和组织进行了研究,从而确定了液相共沉淀法制取Ba1-xLaxPbO3的合成温度;同时讨论了稀土La对BaPbO3粉末合成过程及其电性能的影响.结果表明:采用液相共沉淀法能明显降低Ba1-xLaxPbO3粉末的合成温度,提高粉体的合成率,其合成温度大约在650℃左右;添加稀土La对BaPbO3的电阻率的影响呈"W"形状变化,当x=10%mol时Ba1-xLaxPbO3的焙烧温度、组织、电阻率均达到最佳.
关键词:
稀土
,
BaPbO3
,
导电陶瓷
,
液相共沉淀法
陆裕东
,
王歆
,
庄志强
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.01.028
以可溶性无机盐为原料,EDTA、柠檬酸、酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用改进的溶胶-凝胶法制备了无裂纹、晶粒尺寸小且均匀分布的钙钛矿结构的BaPbO3导电薄膜.利用XRD、SEM和EDS表征方法结合薄膜方阻的测定,具体分析了Pb/Ba比和晶粒生长情况对BaPbO3薄膜导电性能的影响.实验结果表明:Pb/Ba比和晶粒生长情况是决定BaPbO3薄膜导电性的两个主要因素,Pb/Ba比的上升和晶粒的长大,都会提高BaPbO3薄膜的导电性能;热处理次数对BaPbO3薄膜方阻的影响与薄膜厚度有关.在700℃下保温10min的快速热处理方法,可以获得钙钛矿结构、薄膜方阻为5.86Ω·□-1的BaPbOa薄膜.
关键词:
BaPbO3
,
陶瓷
,
薄膜
,
sol-gel
,
薄膜方阻
陆裕东
,
王歆
,
庄志强
,
刘保岭
,
刘勇
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.05.008
采用高温平衡电导法测定了高温平衡电导率随氧分压(10-12～105Pa)的变化曲线,由此确定了未掺杂和Al受主掺杂BaPbO3陶瓷多晶体中的主导缺陷及其电荷补偿缺陷.同时讨论了受主掺杂浓度对材料的高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下主导缺陷转变点的影响,确定了受主掺杂BaPbO3缺陷行为随掺杂量的变化机理.在高氧分压下,材料表现出本征缺陷行为,Pb离子空位占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷控制区域进入非本征缺陷控制区域,受主杂质取代Pb离子空位占主导;在低氧分压区域,随着氧离子空位浓度的上升,氧离子空位取代空穴,成为受主杂质的电荷补偿缺陷.
关键词:
BaPbO3
,
缺陷化学
,
非化学计量比
,
受主
