唐章东
,
杨传仁
,
廖家轩
,
张继华
,
冷文建
,
陈宏伟
,
符春林
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00713
用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si基体上沉积Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜, 用X射线光电子能谱(XPS)研究BST薄膜表层在常规晶化和快速晶化条件下的结构特征. 结果表明, 常规晶化时, BST薄膜表层约3～5nm厚度内含有非钙钛矿结构的BST, 随着温度的升高该厚度增加; 快速晶化时, 该厚度减薄至1nm内, 随着温度的升高没有明显增加. 元素的化学态分析结果表明, 非钙钛矿结构的BST并非来自薄膜表面吸附的CO和CO2等污染物, 而与表面吸附的其他元素(如吸附氧)对表层结构的影响有关. GXRD和AFM表明, 致密的表面结构能有效的阻止表面吸附元素在BST膜体中的扩散, 从而减薄含非钙钛矿结构层的厚度.
关键词:
BST
,
surface layer
,
crystallization
,
perovskite structure
,
XPS
梁晓峰
,
吴文彪
,
孟中岩
无机材料学报
用传统的电子陶瓷工艺合成Ba0.6Sr0.4TiO3(BST),研究Al2O3掺杂对钛酸锶钡陶瓷微结构、介电及调谐性能的影响.通过XRD及SEM的研究表明,Al3+能够完全的进入到Ba0.6Sr0.4TiO3晶格内部形成固溶体,同时陶瓷的结晶程度变好,颗粒大而均匀.陶瓷的介电损耗明显减小,介电常数有所降低,调谐率明显上升,其中,掺杂量为0.8wt％Al2O3时,陶瓷样品具有最佳的介电调谐性能.
关键词:
BST
,
Al2O3-doping
,
microstructure
,
dielectric tunablity
李金隆
,
李言荣
,
张鹰
,
邓新武
,
刘兴钊
无机材料学报
利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.
关键词:
BST
,
ferroelectric thin films
,
low temperature
,
epitaxial growth
蔡玉平
,
宋春荣
,
冯蒙丽
,
陈红叶
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2012.03.018
软模行为是理解铁电体性质(如介电性)的基础,利用格林函数讨论软模对介电性的影响.通过理论计算,分析不同组分的BaxSr1-xTiO3(BST)系统介电常数随频率和温度变化的规律.对于不同的组分比,介电常数随频率的变化趋势几乎相同.随着Ba含量的增大,软模频率发生变化,从而引起介电常数增大；随温度的变化,介电常数的倒数线性变化.随着Ba含量的增大,居里温度升高,介电常数也在增大.给出介电函数的一般表达式.
关键词:
BST
,
软模
,
介电性
,
格林函数
王梦
,
张发生
,
刘根华
,
于军
人工晶体学报
采用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了(Ba,Sr)TiO3薄膜.基于薄膜的形核理论,研究了溅射气压、靶基距、衬底温度和溅射功率等溅射参数对(Ba,Sr) TiO3薄膜择优取向生长的影响.实验结果表明:磁控溅射中,较高衬底温度(600℃)有助于钙钛矿成相；通过改变磁控溅射参数,能得到(111)、(001)、(110)择优取向的薄膜.
关键词:
BST
,
择优取向
,
磁控溅射
,
形核
李金隆
,
张鹰
,
李言荣
,
邓新武
,
熊杰
功能材料
利用激光分子束外延技术(LMBE)在Si(111)、SrTiO3(100)单晶基片上在(10-5pa)高真空环境中外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式.根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280℃、330℃、340℃的低温下实现外延层状生长.当保持BTO(110)/Si(111)层状生长,逐渐降低沉积速率时,发现这种层状模式中每层高度是由整数倍单胞堆积而成,并且随着沉积速率从0.017nm/s降低到0.005nm/s时,每层高度由9降低到1个BTO单胞构成,这对由ABO3钙钛矿材料自组装形成纳米结构具有重要意义.
关键词:
铁电薄膜
,
BST
,
外延生长
,
LMBE
刘祚麟
,
吴传贵
,
张万里
,
李言荣
功能材料
采用倒筒式射频溅射方法,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C/(cm2·K).红外单元探测器在30Hz下的探测率D*为4.93×107cm*Hz1/2/W.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法,适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.
关键词:
BST
,
倒筒式
,
射频溅射
,
热释电系数
,
探测率
张龙
,
朱健
,
卓敏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.017
介绍了BST压电陶瓷靶的烧制方法,使用添加剂改善了Ba0.6 Sr0.4 TiO3 靶材的结构和性能,解决了BST靶材热稳定性差的问题,同时优化了BST靶材的晶化效果,提高介电性能.实验通过XRD衍射和P-E试验分析了所制BST溅射靶的微结构和铁电特性.
关键词:
BST
,
压电陶瓷
,
热稳定性
,
XRD衍射
,
P-E试验分析
张五星
,
徐重阳
,
王长安
,
史济群
,
周雪梅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.012
通过 Sol- Gel方法和半导体工艺,制备出基于 Ba0.8Sr0.2TiO3( BST)薄膜的非致冷红外焦平面 阵列( UFPA)探测单元.用 ANSYS有限元分析软件,对探测单元进行了热分析.分析结果表明: 微桥的大小可以极大的影响薄膜受到辐射后的温度以及薄膜温度的均匀性.对微桥和硅衬底上 的 BST薄膜进行了结构和性能上的对比.发现微桥上面的 BST薄膜其介电常数有所下降,漏电 流增加.而且为了得到致密无裂纹的 BST薄膜,必须减少它的厚度.对所制备的 UFPA探测单 元进行了红外测试,得到 1.6mV左右的信号输出,可以满足下一步信号处理的需要.
关键词:
微桥
,
Sol- Gel
,
BST
,
UFPA
,
介电常数
