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费一汀 , 孙仁英 , 范世(马岂)
无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.03.005
本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12及Fe、Cr掺杂Bi4Si3O12晶体.测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发-发射光谱.总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律.
关键词: 坩埚下降法 , BSO及Fe、Cr掺杂BSO晶体 , 闪烁性能