祁英昆
,
张溪文
,
徐世友
,
韩高荣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.004
采用热丝和射频等离子体辅助化学气相沉积方法(HF-PECVD),以单晶硅为衬底在低温(< 500℃)条件下沉积氮化硼(BN)薄膜材料.通过傅立叶变换红外光谱(FTIR)、 X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)对薄膜样品的组成和结构进行了分析,探讨了温度和等离子体对沉积BN薄膜的影响.此外,用紫外-可见光分光光度计(UV)测试了石英衬底上生长磷掺杂氮化硼(BPXN1-X)薄膜样品的紫外吸收特征,分析了磷掺杂对 BN光学能隙的调节作用以及 BPXN1-X薄膜在紫外空间探测领域的应用前景.结果表明,以单晶硅和光学石英玻璃为衬底在低温条件下用 HF-PECVD方法可以沉积较高质量的 BN薄膜,BN的光学能隙宽度通过磷的掺杂可以得到连续调节,在紫外空间光探测领域具有很大的应用潜力.
关键词:
BN薄膜
,
HF-PECVD
,
低温制备
,
磷掺杂
,
紫外光探测
董博
,
张溪文
,
韩高荣
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.06.018
本文介绍了用HFPECVD(hot filament plasma enhanced chemical vapor deposition)法制备BN薄膜.通过红外吸收谱和x射线衍射图谱分析确定,射频功率和反应气体(N2)气流量显著影响薄膜中立方相BN(c-BN)的相对含量.当射频功率小于200W时,薄膜中立方相的相对含量随它的增加而增大;而当射频功率大于200W时,则随它增加而减小.当N2气流量增加时,薄膜生长速率增加,但立方相的相对含量却减少.最后通过对不同沉积时间样品的红外吸收谱的分析对BN薄膜的生长机理进行了探讨.
关键词:
BN薄膜
,
射频功率
,
气流量
,
机理
冯健
,
徐闰
,
汤敏燕
,
张旭
,
乐永康
,
王林军
人工晶体学报
采用射频磁控溅射技术分别在纳米与微米金刚石薄膜上制备立方氮化硼(c- BN)薄膜.金刚石薄膜由拉曼光谱(Raman)及原子力显微镜(AFM)进行表征.采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)研究了不同沉积温度对c- BN薄膜生长的影响,结果表明在金刚石薄膜上生长c- BN不存在温度阈值,室温下生长的c- BN含量可达70%以上.当沉积温度由室温向上升高时,对于纳米金刚石薄膜衬底上生长的BN薄膜而言,其中的立方相含量反而逐渐降低.此外,随着沉积温度的降低,c- BN对应的峰位向低波数方向偏移的现象表明低温下生长的c- BN薄膜内应力较小.文中探讨了产生此现象的原因.
关键词:
BN薄膜
,
金刚石薄膜
,
射频磁控溅射
顾广瑞
,
何志
,
李英爱
,
王翠
,
冯伟
,
赵永年
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.008
研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N2的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大.
关键词:
BN薄膜
,
场发射
,
偏压
顾广瑞
,
吴宝嘉
,
李全军
,
金哲
,
盖同祥
,
赵永年
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.010
利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99 %)和高纯Ar(99.99 %)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1).在超高真空(<10-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响.随着氮气分压的增加,阈值电场逐渐升高,这是由于表面粗糙度的变化造成的.充入10 % N2情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好,开启电场为9 V/μm,当电场升高到24 V/μm,场发射电流为320 μA/cm2.所有样品的场发射FN曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜表面势垒发射到真空的.
关键词:
场发射
,
BN薄膜
,
氮气分压
