张译轩
,
李松梅
,
刘建华
,
于美
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12681
采用共沉淀法将防霉剂1,2-苯丙异噻唑啉-3-酮(BIT)成功插入到Mg-Al层状双金属氢氧化物层间(LDH),合成Mg2A1-BIT LDHs纳米杂化物.采用X射线衍射、傅里叶红外光谱、扫描电子显微镜进行表征.并在pH=4.8和7.2的介质中研究药物缓释动力学.结果显示BIT成功地插入到了LDH的层间,载药量为44.35％,释放动力学过程符合准二级动力学方程.将胶囊型防霉剂添加到醇酸树脂涂层中进行霉菌试验.结果表明Mg2A1-BIT LDHs在耐耗、溶出、析出方面优于BIT,后期防霉效果更好.
关键词:
层状双金属氢氧化物
,
BIT
,
缓释
,
防霉持久性
陈建军
,
金强宁
,
章鹏
,
刘凯丽
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0647
针对某些仅绑定栅源驱动芯片而没有时序控制电路的液晶显示面板,设计了一款基于FPGA的SOPC嵌入式系统的时序控制器.它利用FPGA的逻辑电路实现LVDS视频信号的解码、灰阶扩展、RSDS信号编码、显示控制时序转换等功能,并通过FPGA中Nios Ⅱ软核的串行口设置参数,编程GAMMA及VCOM电压,参数具有掉电保护功能.时序控制器中还增加了BIT检测电路,可实时查询电路运行状态.该时序控制器电路集成度高、功耗低,结构简单,适合特殊应用,具有较高使用价值.
关键词:
TFT液晶显示
,
时序控制器
,
FPGA
,
SOPC
,
BIT
张宇
,
左长明
,
王小平
,
宋晓科
,
姬洪
材料导报
铁电薄膜的性能与薄膜的择优取向和应力有密切的联系.采用X射线衍射( XRD)对3片不同自缓冲层条件下的Bi4Ti3O12(B1T)铁电薄膜进行了择优取向和应力分析,研究了自缓冲层影响择优取向和应力的机理.3片BIT薄膜的内应力均为张应力,并随着(200)峰与(117)峰相对强度的增强而变小,结果表明:a轴择优的BIT薄膜性能最好.
关键词:
BIT
,
自缓冲层
,
择优取向
,
应力
,
摇摆曲线
黄小丹
,
王华
,
任明放
,
许积文
,
杨玲
材料导报
采用固相烧结工艺制备了Nb掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)铁电陶瓷.用XRD和AFM对其微观结构进行了分析,研究了Nb掺杂对材料微观结构和介电性能的影响.结果发现,微量Nb的掺入并未改变BIT的晶体结构,但可减小陶瓷的晶粒尺寸并降低材料的居里温度.同时,Nb的掺入大大降低了BIT陶瓷的介电常数并削平了BIT陶瓷的介电损耗峰,适当掺杂Nb可明显降低BIT陶瓷的介电损耗.
关键词:
铁电陶瓷
,
介电性能
,
BIT
,
微结构
王小平
,
朱俊
,
罗文博
,
张鹰
,
李言荣
功能材料
采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在商业化的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BIT)系列薄膜.利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用RT2000进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律.分析结果表明,调整工艺参数能有效改善BIT薄膜的a轴取向度:气氛氧压越大、衬底温度越高,则薄膜的a轴取向度越高,剩余极化值也就越大.通过上述试验结果得到,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备BIT薄膜的优化条件为氧分压35Pa、衬底温度700℃.在此优化条件下制备的BIT薄膜为a轴择优取向,剩余极化值达到7μC/cm2.
关键词:
BIT
,
剩余极化
,
a轴择优
