程华
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张昕
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张广城
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刘汝宏
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吴爱民
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石南林
材料研究学报
以Ar+SiH4作为反应气体,用电子问旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响.结果表明,在300℃制备低温微晶硅薄膜,随着微波功率的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,微波功率为600 W时达到最大;而结晶度和薄膜中的H含量则分别呈现单调增大和单调减少的趋势;使用不同的微波功率,薄膜的择优取向均为(111)方向.
关键词:
材料合成与加工工艺
,
微晶硅薄膜
,
Ar稀释SiH4
,
ECR-PECVD
,
微波功率
