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NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性

张辉 , 滕蛟 , 于广华 , 吴杏芳 , 朱逢吾

金属学报

采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻（AMR）薄膜，经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制制成了厚度t＝20nm、长度l=2.5mm，宽度w分别为50μm、20μm、10μm、5μm、3μm的AMR元件。测量了AMR元件的磁电阻效应。考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性，计算了磁电阻比率。结果表明，宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小，直接影响着AMR元件的磁化反转过程。宽度越小，元件中的边缘退磁场越大，在外磁场下的磁化反转也越困难。在磁化反转过程中，磁化反转先从中心开始，逐渐扩展到边缘。

关键词: 各向异性磁电阻 , AMR Element , Non-uniform Demagnetizing field , Magnetization Switch