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AlN/Mo/TiB2微波衰减材料的制备及介电性能研究

董丽 , 董桂霞 , 程晓清 , 张茜 , 陈旸

人工晶体学报

采用放电等离子烧结制备了AlN/Mo/TiB2微波衰减材料.研究了TiB2的含量对复合材料的相组成、致密度、电阻率及介电性能的影响.利用XRD、SEM、网络分析仪对样品的相组成、微观结构、介电性能进行测试分析.结果表明:随着TiB2的含量的增加,复合陶瓷的致密度先增大后减小,当加入15wt% TiB2时,致密度达到最大,为98.71%.加入TiB2有利于复合陶瓷介电常数和介电损耗的增加.从电导率测试结果可知,复合陶瓷的渗流阈值在TiB2含量为15wt%.

关键词: 氮化铝/钼/硼化钛复合陶瓷 , 放电等离子烧结 , 介电性能 , 电阻率

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