李美成
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邱永鑫
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李洪明
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赵连城
稀有金属材料与工程
通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3 nm,且观察到高密度的位错存在于外延膜中.通过光学试验数据,确定了试样的光学吸收边都是在370 nm附近,理论计算显示试样为直接跃迁型半导体,禁带宽度约为3.4 eV.试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小,计算表明消光系数的极小值位于370 nm处.光致发光测试分析表明,超晶格有很好的发光性能,并发现存在黄带发光.
关键词:
AlGaN/GaN超晶格
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微观结构
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吸收光谱
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光致发光
