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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

张东国 , 李忠辉 , 彭大青 , 董逊 , 李亮 , 倪金玉

人工晶体学报

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响.使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V·s.

关键词: MOCVD , 缓冲层 , AlGaN/GaN , 二维电子气

考虑自热效应的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管建模与仿真

姜霞 , 赵正平 , 张志国 , 骆新江 , 杨瑞霞 , 冯志红

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.014

基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流Ⅰ-Ⅴ特性的解析模型.通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计.

关键词: AlGaN/GaN , 高电子迁移率晶体管 , 解析模型 , 自热效应 , 直流Ⅰ-Ⅴ特性

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/33/8/081001

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半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/34/6/064002

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半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/34/8/086004

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半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/35/3/034007

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半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/36/1/014008

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半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/37/11/114002

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半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/37/5/055002

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半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/37/6/064013

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