吴宁宁
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宋文娥
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安富强
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刘建红
,
田文怀
材料热处理学报
用固相法合成了Al掺杂的高电压LiNi0.5Mn1.5-xAlxO4材料,研究了材料晶胞参数、材料可逆比容量、放电电压及循环性能随掺Al量的变化规律。结果表明,随着掺Al量的增加,材料的可逆比容量在逐渐减小;当Al掺杂量为0.06（LiNi0.5Mn1.44Al0.06O4）时,样品具有最佳的循环性能,100周的容量保持率在97%左右。与此同时,使用以Al掺杂量为0.06的样品为正极,石墨为负极组装的全电池显示了良好的循环性能。
关键词:
固相法
,
放电电压
,
Al掺杂量
,
可逆比容量
余长林
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李鑫
,
周晚琴
,
樊启哲
,
魏龙福
,
陈建钗
人工晶体学报
在较温和的溶剂热条件下制备了一系列Al3+掺杂的ZnS纳米晶光催化剂.利用N2物理吸附、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见漫反射光谱(UV-vis DRS)、红外光谱(FT-IR)和光致发光(PL)谱等技术对合成的样品进行了表征.考察了不同含量的Al3掺杂对ZnS的结晶度、比表面积、表面羟基、光吸收性能及其对不同染料的光催化降解性能的影响.结果表明,在140℃下合成的球状ZnS纳米晶具有较好的结晶度;Al3+掺杂在增加催化剂的比表面积的同时丰富了催化剂的表面羟基;此外,掺杂的Al3+可以明显抑制光生电子(e-)和空穴(h+)的复合,提高光催化反应效率.当掺杂最佳含量的6mol％ Al时,可使催化剂光催化降解染料酸性橙Ⅱ、亚甲基蓝和罗丹明B的降解率分别提高3.5、1.0和0.9倍.
关键词:
ZnS纳米晶
,
Al掺杂
,
溶剂热
,
光催化
,
降解率
袁作彬
,
左安友
,
李兴鳌
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.05.033
利用磁控共溅射方法在玻璃基底上制备出了Al掺杂Cu3N薄膜,研究了其晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性.XRD结果表明Al掺杂没有引起峰位的明显变化,说明Al替代了Cu的位置或者进入晶界处,并且随掺杂含量升高,结晶度降低;扫描电子显微镜图像表明Al掺杂之后使得氮化铜晶粒形状变得不规则,晶界变得模糊,说明Al掺杂会抑制氮化铜晶体的生长;通过光学透射谱计算得到光学带隙,Al掺杂降低了氮化铜薄膜的光学带隙,并随着掺杂含量的增加而逐渐减小,实现了Al掺杂氮化铜薄膜光学带隙的连续可调,带隙减小源于Al外层电子的局域态进入氮化铜的带隙间,增加了中间态.同时四探针的测试也表明掺杂之后电阻率变小.
关键词:
氮化铜
,
薄膜
,
Al掺杂
,
光学特性
,
电学特性
付红
,
张伯权
,
崔教林
稀有金属材料与工程
以等摩尔分数的Al元素替代(In2Te3)0.09 (SnTe)0.91中的In元素,利用放电等离子烧结技术、采用相同的工艺制备了(In2Te3)0.09(SnTe)0.91和(In1.9Al0.1Te3)0.09 (SnTe)0.91 2种化合物,并对两者的微观结构和热电性能进行对比.结果表明,掺杂A1元素后,材料的Seebeck系数降低很小,电导率为1×105～2.3×105 Ω-1·m-1,是掺杂前的2.4～3倍,晶格热导率kL值大幅度降低.在693K时,掺杂A1后的化合物ZT值达到最大值0.4,是同温度下掺杂前ZT值的2倍.
关键词:
(In1.9Al0.1Te3)0.09(SnTe)0.91
,
掺杂Al
,
热电性能
