张家祥
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王彦强
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卢凯
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张文余
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王凤涛
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冀新友
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王亮
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张洁
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王琪
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刘琨
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李良杰
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李京鹏
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0433
本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究.与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,Ioff偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性.增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使Ion和Ioff同时降低;PVX沉积前处理气体N2+NH3与H2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件.
关键词:
沟道界面
,
漏电流
,
Al电极
,
TFT特性
